在轿车电子的驱动负载的各种运用中，最常见的半导体元件便是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技能大全，仅仅让读者去了解怎么正确的了解功率MOSFET数据表中的常用主要参数，以协助规划者更好的运用功率MOSFET进行规划。
数据表中的参数分为两类：即最大额定值和电气特性值。关于前者，在任何情况下都 不能超越，不然器材将永久危害；关于后者，一般以最小值、最大值、和典型值的方式给出，它们的值与测验办法和运用条件密切相关。在实践运用中，若超出电气特性值，器材自身并不一定损坏，但假如规划裕度缺乏，或许导致电路作业异常。
在功率MOSFET的数据表给出的参数中， 一般最为关怀的基本参数为Rds（on）、VBR（DSS）、Qgs和Vgs。更为高档一些的参数，如ID、Rthjc、SOA、Transfer Curve、EAS等，将在本文的下篇中再做介绍。
为了使每个参数的阐明更具有直观性和易于了解，选用了英飞凌公司的功率MOSFET，型号为IPD90N06S4-04。本文中所有的表格和图表也是从IPD90N06S4-04中摘抄出来的。下面就对这些参数做逐个的介绍。
Rds（on）： 通态电阻。Rds（on）是和温度和Vgs相关的参数，是MOSFET重要的参数之一。在数据表中，给出了在室温下的典型值和最大值，并给出了得到这个值的测验条件，详见下表。
除了表格以外，数据表中还给出了通态电阻跟着结温改变的数据图。从图中能够看出，结温越高，通态电阻越高。正是因为这个特性，当单个功率MOSFET的电流容量不行时，能够选用多个同类型的功率MOSFET并联来进行扩流。
假如需求计算在指定温度下的Rds（on），能够选用以下的计算公式。
上式中a为与工艺技能有关的常数，关于英飞凌的此类功率MOSFET，能够选用0.4作为常数值。假如需求快速的预算，能够大略以为：在最高结温下的Rds（on）通态电阻是室温下通态电阻的2倍。下表的曲线给出了Rds（on）随环境温度改变的联系。
VBR（DSS）：界说了MOSFET的源级和漏级的最大能购接受的直流电压。在数据表中，此参数都会在数据表的主页给出。留意给出的VBR（DSS）值是在室温下的值。
此外，数据表中还会给出在全温范围内（-55℃…+175℃） VBR（DSS） 跟着温度改变的曲线。
从上表中能够看出，VBR（DSS）是跟着温度改变的，所以在规划中要留意在极限温度下的VBR（DSS）依然能够满意系统电源对VBR（DSS） 的要求。
Qgs：数据表中给出了为了使功率MOSFET导通时在给定了的Vds电压下，当Vgs改变时的栅级电荷改变的曲线。从图表中能够看出，为了使MOSFET彻底导通，Vgs的典型值约等于10V，因为器材彻底导通，能够削减器材的静态损耗。
Vgs：描绘了在指定了漏级电流下需求的栅源电压。数据表中给出的是在室温下，当Vds=Vgs 时，漏极电流在微安等级时的Vgs 电压。数据表中给出了最小值、典型值和最大值。
需求留意的是，在相同的漏极电流下，Vgs 电压会跟着结温的升高而减小。在高结温的情况下，漏极电流现已挨近达到了Idss（漏极电流）。为此，数据表中还会给出一条比常温下指定电流大10倍的漏极电流曲线作为规划参阅。如下图所示。
以上介绍了在功率MOSFET数据表中最为规划者关怀的基本参数 Rds（on）、VBR（DSS）、Qgs和Vgs。假如需求更为深化的了解和运用功率MOSFET，还需求进一步的去了解更深化的一些参数，将在本文的下篇中再做介绍。
作者简介：
高杨
近20年在轿车电子TOP10公司经历，特别是在车载控制器范畴（多媒体、车身、驾驭辅佐及VCU）。曾任职博世轿车专家级工程师，超越10年在轿车零部件（博世和大陆轿车），5+年轿车半导体（德州仪器和英飞凌），历任多种资深（系统、规划、产品）工程师职务。丰厚的渠道开发（从0到1）及产品开发的工程经历和技能堆集。 Ford SYNC第一代的中心硬件工程师，界说和开发了德州仪器（TI）第一款智能高边驱动器（TPS1H100-Q1），填补了公司在轿车电子商场的技能道路和商场空白。 收拾和规范化了与规划开发的技能文件，能够直接用于辅导规划及融入公司的文件系统中，满意系统查看要求和进步公司的规划流程和办理水平。硬件规划流程办理的模板（45+篇），硬件规划评定和查看清单模板（50+篇）。 企业界训师认证（TTT） ，超越2500页轿车电子规划训练内容PPT，满意从入门、中级及高档轿车电子规划的训练要求，现在在4家企业界部施行过训练，收到了很好的反应。 现在取得13件轿车电子专利（截止2019年12月）。《EDN电子技能规划》轿车电子专栏作者责任编辑：gt
