LTC1157高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

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产品概况

LTC^®1157 双通道 3.3V 微功率 MOSFET 栅极驱动器使得可以经过一个低 R_DS(ON) N 沟道开关 (在 3.3V 时需求选用 N 沟道开关，由于 P 沟道 MOSFET 在 V_GS ≤ 3.3V 时不具备有确保的 R_DS(ON)) 切换电源或接地参阅负载。LTC1157 的内部充电泵把栅极驱动电压提高至正电源轨以上达 5.4V (比地电位高 8.7V)，然后全面地强化了一个逻辑电平 N 沟道开关 (关于 3.3V 高压侧使用) 和一个规范 N 沟道开关 (关于 3.3V 低压侧使用)。在 5V 时的栅极驱动电压一般高于电源达 8.8V (比地电位高 13.8V)，因而规范 N 沟道 MOSFET 开关可用于高压侧和低压侧使用。 

微功率操作 (具有 3μA 待用电流和 80μA 作业电流) 使 LTC1157 十分合适电池供电型使用。

LTC1157 可提供 8 引脚 DIP 封装 SOIC 封装。

使用

• 笔记本电脑电源办理
• 掌上型电脑电源办理
• 代替 P 沟道开关
• 电池充电和办理
• 混合式 5V 和 3.3V 电源切换
• 步进电机和 DC 电机操控
• 蜂窝电话和寻呼机

优势和特色

• 可提供最低压降 3.3V 电源切换
• 可依托 3.3V 或 5V 标称电源作业
• 3μA 待用电流
• 80μA 导通电流
• 驱动低成本 N 沟道功率 MOSFET
• 无外部充电泵组件
• 受控接通和关断时刻
• 可兼容 3.3V 或 5V 逻辑器材系列
• 选用 8 引脚 SOIC 封装

LTC1157电路图

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