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肖特基二极管结构和内电路

本站为您提供的肖特基二极管结构和内电路,肖特基二极管存在的问题是耐压比较低,反向漏电流比较大。目前应用在功率变换电路中的肖特基二极管的大体水平是耐压在150V以下,平均电流在100A以下,反向恢复时间在10~40ns。肖特基二极管应用在高频低压电路中,是比较理想的。

肖特基二极管的内部结构

肖特基(Schottky)二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD),是由金属与半导体触摸构成的势垒层为根底制成的二极管如图 1所示,其主要特点是正导游通压降小(约0.45V),反向恢复时间短和开关损耗小,是一种低功耗、超高速半导体器材。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大差异,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等资料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除资料、N-外延层(砷资料)、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成,如图1所示。在N型基片和阳极金属之间构成肖特基势垒。当在肖特基势垒两头加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两头加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。

肖特基二极管结构和内电路

肖特基二极管存在的问题是耐压比较低,反向漏电流比较大。现在使用在功率改换电路中的肖特基二极管的大体水平是耐压在150V以下,均匀电流在100A以下,反向恢复时间在10~40ns。肖特基二极管使用在高频低压电路中,是比较抱负的。

肖特基二极管结构和内电路

1.肖特基二极管结构 

图13-3是肖特基二极管内部结构示意图。肖特基二极管具有更低的串联电阻和更强的非线性,适合于在射频电路中使用。

肖特基二极管结构和内电路

某些金属和N型半导体资料触摸后,电子会从N型半导体资猜中分散进入金属从而在半导体资猜中构成一个耗尽层,具有和惯例PN结相似的特牲,这种由金属和半导体资料触摸构成相似PN结势垒的结构称为肖特基结。 

当在肖特基势垒两头加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小。如果在肖特基势垒两头加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大,如图13-4所示。

肖特基二极管结构和内电路

2.肖特基二极管内电路 

引线式肖特基对管又有共阳(两管的正极相连)、共阴(两管的负极相连)和串联(一只二极管的正极接另一只二极管的负极)3种引脚引出方法。JRC2352图13-5是引线式肖特基对管内电路结构示意图。

肖特基二极管结构和内电路

贴片式肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装方式,且内电路详细方式多达10余种。图13-6所示是多种贴片式肖特基二极管内电路。

肖特基二极管结构和内电路

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