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看懂MOSFET数据表,第2部分—接连电流额定值

今天我们来谈一谈MOSFET电流额定值,以及它们是如何变得不真实的。好,也许一个比较好的解释就是这些额定值不是用确定RDS(ON) 和栅极电荷等参数的方法测量出来的,而是被计算出来的,并且有很多种

  今日咱们来谈一谈MOSFET电流额定值,以及它们是怎么变得不真实的。好,或许一个比较好的解说便是这些额定值不是用确认RDS(ON) 和栅极电荷等参数的办法丈量出来的,而是被核算出来的,并且有很多种不同的办法可以获得这些值。

  例如,大多数部件中都有FET“封装电流额定值”,这个值同与周围环境无关,并且是硅芯片与塑料封装之间内涵连接线的一个函数。超越这个值不会立即对FET形成损坏,而在这个限值以上长期运用将开端削减器材的运用寿命。高于这个限值的毛病机制包含但不限于线路交融、成型复合材料的热降解、以及电搬迁应力所导致的问题。

  然后是咱们考虑的“芯片限值”,一般经过将外壳温度保持在25˚C来指定。基本上,这个条件假定了一个抱负的散热片,只运用结至外壳热阻来核算器材可以处理的最大功率(鄙人面的方程式1和2中显现)。换句话说,假定RθCase-to-Ambient为零,这在运用中并不是一个很有用的条件,这样的话,最好将这个电流额定值视为表明器材RDS(ON)和热阻抗的品质因数。

  (1)  

 

  (2)  

 

  下面的图表1a和1b别离给出了CSD18536KCS和CSD18535KCS60V TO-220 MOSFET数据表主页上呈现的肯定最大额定值表。这两个器材的封装额定值均为200A,不过,因为CSD18536KCS具有更低的RDS(ON)和热阻抗,它具有349A的更高芯片限值,这表明,在处理相同数量的接连电流时,它的运转温度应该比CSD18535KCS的工作温度低。不过,咱们仍是不主张将这两款器材长期运转在电流超越200A的条件下。从FET的视点说,这就意味着任一超越100ms的电流脉冲;超越这个值的电流脉冲基本上就可以被视为DC脉冲。

    

 

  图表1a:CSD18535KCS肯定最大额定值表

    

 

  图表1b:CSD18536KCS肯定最大额定值表

  某些QFN数据表还包含一个第3接连电流,核算办法与芯片限值的核算办法彻底相同,不过,如表格下方的脚注所示,它是器材测得的RθJA的函数。运用RθJA(关于一个规范的SON5x6封装来说,典型值为40˚C/W)来核算最大功率的办法假定QFN在运用中只处理3W左右的功率。因而,关于未露出于任何散热片或运用其它冷却机制的QFN器材来说,这个核算办法给出了愈加实践的DC电流限值。

 

 

 

 

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