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LTC4446高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

LTC4446相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,LTC4446供应信息可在查IC网搜索

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产品概况

LTC®4446 是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强壮的驱动才能降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流,而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流,而其下拉电路则具有 0.55Ω 的输出阻抗。

LTC4446 针对两个与电源无关的输入进行装备。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源能够在高出地电位达 114V 的电压条件下运转。

LTC4446 包括欠压闭锁电路,用于在器材启动时停用外部 MOSFET。

LTC4446 选用耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装。

LTC4446 不具备自适应贯穿维护功用。如需了解具自适应贯穿维护功用的类似驱动器,请查阅下表。

参数 LTC4446 LTC4444 LTC4444-5
贯穿维护功用
肯定最大TS 100V 100V 100V
MOSFET 栅极驱动电压 7.2V 至 13.5V 7.2V 至 13.5V 4.5V 至 13.5V
VCC UV+ 6.6V 6.6V 4V
VCC UV 6.15V 6.15V 3.5V

使用

  • 分布式电源架构
  • 轿车电源
  • 高密度电源模块
  • 电信体系

优势和特色

  • 自举电源电压高至 114V
  • 宽 VCC 电压:7.2V 至 13.5V
  • 2.5A 峰值顶端栅极上拉电流
  • 3A 峰值底端栅极上拉电流
  • 1.2Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
  • 0.55Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
  • 5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
  • 8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
  • 3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
  • 6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
  • 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
  • 具欠压闭锁功用
  • 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装

LTC4446电路图

LTC4446

LTC4446中文PDF下载地址

LTC4446下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/4446f.pdf

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