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HMC902LP3E低噪声放大器参数介绍及中文PDF下载

HMC902LP3E相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,HMC902LP3E供应信息可在

HMC902LP3E相关信息来自ADI官网,详细参数以官网发布为准,HMC902LP3E供给信息可在查IC网查找相关供给商。

产品概况

HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA),经过可选偏置操控完成自偏置,以下降IDQ。HMC902LP3E选用无引脚3 mm × 3 mm塑料表贴封装。该放大器的作业频率规模为5 GHz至11 GHz,供给19.5 dB的小信号增益,1.8 dB的噪声系数,28 dBm的输出IP3,选用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。

16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像按捺混频器的本振(LO)驱动器。HMC902LP3E还具有隔直输入/输出,内部匹配50 Ω,因此十分合适高容量微波无线电和C频段甚小孔径终端(VSAT)使用。

使用

  • 点对点无线电
  • 点对多点无线电
  • 军事和太空
  • 测验仪器仪表

优势和特色

  • 低噪声系数:1.8 dB(典型值)
  • 高增益:19.5 dB
  • 高P1dB输出功率:16 dBm(典型值)
  • 单电源:3.5 V (80 mA)
  • 输出IP3:28 dBm
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 经过可选偏置操控完成自偏置,以下降静态漏极操控(IDQ)。
  • 3 mm × 3 mm、16引脚芯片级(LFCSP)封装:9 mm²

HMC902LP3E电路图

HMC902LP3E

HMC902LP3E中文PDF下载地址

HMC902LP3E下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/hmc902lp3e.pdf

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