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MOS管与最简略CMOS逻辑门电路

现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。1、MOS管MOS管又分为两种类型:N型和P型。如下图所示: 以N型管为例,2端为控制端,称为ldquo;栅极rdquo;;3端

现代单片机主要是选用CMOS工艺制成的。

1、MOS管

MOS管又分为两种类型:N型和P型。如下图所示:

以N型管为例,2端为操控端,称为“栅极”;3端一般接地,称为“源极”;源极电压记作Vss,1端接正电压,称为“漏极”,漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通,栅极2上要加高电平。

对P型管,栅极、源极、漏极分别为5端、4端、6端。要使4端与6端导通,栅极5要加低电平。

在CMOS工艺制成的逻辑器材或单片机中,N型管与P型管往往是成对出现的。一起出现的这两个CMOS管,任何时候,只需一只导通,另一只则不导通(即“截止”或“关断”),所以称为“互补型CMOS管”。

2、CMOS逻辑电平

高速CMOS电路的电源电压VDD一般为+5V;Vss接地,是0V。

高电平视为逻辑“1”,电平值的规模为:VDD的65%~VDD(或许VDD-1.5V~VDD)

低电平视作逻辑“0”,要求不超越VDD的35%或0~1.5V。

+1.5V~+3.5V应看作不确定电平。在硬件规划中要防止出现不确定电平。

近年来,跟着亚微米技能的开展,单片机的电源呈下降趋势。

低电源电压有助于下降功耗。VDD为3.3V的CMOS器材已很多运用。在便携式运用中,VDD为2.7V,乃至1.8V的单片机也现已出现。将来电源电压还会持续下降,降到0.9V,但低于VDD的35%的电平视为逻辑“0”,高于VDD的65%的电平视为逻辑“1”的规则仍然是适用的。

3、非门

非门(反向器)是最简略的门电路,由一对CMOS管组成。其作业原理如下:

A端为高电平时,P型管截止,N型管导通,输出端C的电平与Vss保持共同,输出低电平;A端为低电平时,P型管导通,N型管截止,输出端C的电平与VDD共同,输出高电平。

4、与非门

与非门作业原理:

①、A、B输入均为低电平时,1、2管导通,3、4管截止,C端电压与VDD共同,输出高电平。

②、A输入高电平,B输入低电平时,1、3管导通,2、4管截止,C端电位与1管的漏极保持共同,输出高电平。

③、A输入低电平,B输入高电平时,情况与②相似,亦输出高电平。

④、A、B输入均为高电平时,1、2管截止,3、4管导通,C端电压与地共同,输出低电平。

5、或非门

或非门作业原理:

①、A、B输入均为低电平时,1、2管导通,3、4管截止,C端电压与VDD共同,输出高电平。

②、A输入高电平,B输入低电平时,1、4管导通,2、3管截止,C端输出低电平。

③、A输入低电平,B输入高电平时,情况与②相似,亦输出低电平。

④、A、B输入均为高电平时,1、2管截止,3、4管导通,C端电压与地共同,输出低电平。

注:将上述“与非”门、“或非”门逻辑符号的输出端的小圆圈去掉,就成了“与”门、“或”门的逻辑符号。而完成“与”、“或”功用的电路图则必须在输出端加上一个反向器,即加上一对CMOS管,因而,“与”门实际上比“与非”门杂乱,延迟时间也长些,这一点在电路规划中要注意。

6、三态门

三态门的作业原理:

操控端C为“1”时,N型管3导通,一起,C端电平经过反向器后成为低电平,使P型管4导通,输入端A的电平情况能够经过3、4管抵达输出端B。

操控端C为“0”时,3、4管都截止,输入端A的电平情况无法抵达输出端B,输出端B出现高电阻的状况,称为“高阻态”。

这个器材也称作“带操控端的传输门”。带有必定驱动才能的三态门也称作“缓冲器”,逻辑符号是相同的。

注:从CMOS等效电路或许真值表、逻辑表达式上都能够看出,把“0”和“1”换个方位,“与非”门就变成了“或非”门。关于“1”有用的信号是“与非”联系,关于“0”有用的信号是“或非”联系。

上述图中画的逻辑器材符号均是正逻辑下的输入、输出联系,即对“1”(高电平)有用而言。而单片机中的大都操控信号是依照负有用(低电平有用)界说的。例如片选信号CS(Chip Select),指该信号为“0”时具有字符标明的含义,即该信号为“0”表明该芯片被选中。因而,“或非”门的逻辑符号也能够画成下图。

7、组合逻辑电路

“与非”门、“或非”门等逻辑电路的不同组合能够得到各种组合逻辑电路,如译码器、解码器、多路开关等。

组合逻辑电路的完成能够运用现成的集成电路,也能够运用可编程逻辑器材,如PAL、GAL等完成。

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