当咱们仍是学生的时分，不管从做题仍是原理剖析上,一般会要点学习NPN和PNP三极管的特性：静态作业特性核算、动态信号剖析等等。关于MOS管，教师一般都会草草带过，没有那么深化的剖析和了解，一般都会说MOS管和三极管的不同便是一个是电压操控，一个是电流操控，一个Ri大，一个Ri小等等。除了这些显着的特性，下文就从作业实战的视点进行MOS场效应管的剖析。
首要咱们来看下常常运用的增强型mos场效应管：N沟道和P沟道mos场效应管。
在消费类电子设计中因为对功耗要求比较严厉，一般运用N沟道和P沟道MOS场效应管来做电平的转化、锂电池的充电放电电路操控和电源的操控。现在用multisi blue14来模仿P沟道的电气特性：
在信号源XFG1中选用1Hz的5Vpp的正弦波来驱动Pmos场效应管，而场效应管的vcc也选用5v直流电压，示波器XSC1中A通道显现驱动电压的波形，B通道显现源级的电压，仿真成果如下：
从仿真成果中能够看出，只需栅极的电压超越0v，也便是此刻栅极的电压大于漏极的电压，场效应管到，示波器拾取的源级电压就为直流驱动电压，源级取得的信号特性正好与驱动栅极的电压特性相反。这也便是电机驱动电路中选用N沟道和P沟道mos场效应管的原因。
深度剖析下该典型电路：当漏极电压升高，场效应管的夹断电压也会随之升高;当源级的电压改变特别是变小时，场效应管的源级电压会伴随着场效应管的翻开与封闭完成电压跟从。
如下比如：栅极驱动电压为5v方波，源级为3v直流电源
此刻源级的电压特性为：
这便是电平改换的典型特性，在实践的电路中，常常因为漏源栅之间的电容、或许驱动马达引起的反向电动势影响到电子体系，一般会在栅极添加耗能电阻R和耗能电容C接地。
N沟道增强型MOS场效应管的典型使用电路正好与P沟道增强型MOS场效应管相反，如下所示：
在信号源XFG2中选用1Hz的5Vpp的正弦波来驱动Nmos场效应管，而场效应管的vcc也选用5v直流电压，示波器XSC2中A通道显现驱动电压的波形，B通道显现源级的电压，仿真成果如下：
由此能够知道只需栅极电压大于0V(此刻的0v电压为源级电压)N沟道MOS场效应管是导通状况，漏极的电压会伴随着N沟道MOS管的翻开与封闭构成跟从漏极仍是源级电压。
当选用5vpp的方波驱动栅极电压时，
取得的仿真波形如下：
从中能够看出取得的波形为0-5V的方波，这在电子开关中能够理解为当驱动电压为高电平时场效应管翻开。
当用MOS场效应管做充电电池的操控电路时的典型电路如下：
上图中，当USB接口连接上，整个体系选用USB供电，一起经过电压检测操控端来完成对锂电池的充电，而因为二极管的存在，使锂电池的电量不能返流到USB。当USB接口没有驱动电压时，锂电池经过二极管D1进行对体系的供电。
好了，关于MOS场效应管在消费类电子产品中的使用就剖析到这儿。下一篇将会剖析MOS场效应管在信号处理中的典型使用。
