每个I/O 拉电流50mA灌电流100mA 总电流800mA
一、电源和地线方面的处理
1、模仿电源和数字电源要别离供电，能够运用两个稳压源别离供电，可是两个电源之间的电压差有必要满意数据手册中的规则(<0.5V，小于0.3V是比较抱负的)。实践运用中模仿电源和数字电源能够来自同一个稳压器的输出，只在AV+与VDD之直接简略的滤波器也是很有用的。这儿要加一个小电感，也能够用低阻值的电阻(一般2欧姆,电阻要有满足的寄生电感。)这种方法既能降低成本又能削减体积。(关于这一点能够参阅C8051F各种方针板的原理图的电源部分）。
2、在地线方面，模仿地和数字地要分隔布线，然后在一点经过磁珠衔接，在实践运用中也能够运用0欧姆绕线电阻衔接的。该绕线电阻要有寄生电感，别的，在布线时必定要留意地线应该尽或许的粗，或许选用大面积覆地，电源线也要尽量粗，并且在单片机一切电源和地之间以及每个外围集成电路的VDD和GND间加去耦合电容。
3、假如所运用的器材上有模仿电源，模仿地，数字电源和数字地，一切这些引脚不能够悬空，有必要衔接。
二、在严格环境下运用C8051F器材时，在PCB规划时应留意那些问题？
在严格条件下运用C8051F器材时，咱们提供给您的一般性主张如下：
1)在器材的每个电源引脚处放置0.1μF和1.0μF的去耦电容，并且要尽或许地接近芯片。这一点适用于板上一切的IC（集成电路）。*
2)尽或许将板上不运用的空直接地，即所谓的大面积覆铜。
3)在接近器材外部振荡器引脚处放置外部晶体和其他振荡器元件（假如可行的话）。
4)运用最短的连线以防止发生“天线”，尤其在下列引脚处：/RST，MONEN，XTAL1，XTAL2，TMS，TCK，TDI和TDO。
5)应运用一个1k – 4.7k的电阻将/RST拉为高电平。且应该在/RST走线和地之间设一个0.1uF的去耦电容*
6)应将MONEN直接接至片上的VDD (首选)或接地。*
7)将TMS、TCK、TDI和接固定电平。*
8)衔接至体系电缆或其他电路板上的信号应在PCB的衔接点处适当地滤波。
* 防止使这些衔接在板上形成大的回路。
三、对JTAG引脚的处理
在电路规划时，JTAG口的TCK要加3.3V上拉。上拉电阻值取4.7K。别的，要考虑到在制品阶段(此刻已不需求经过JTAG编程)，将TCK.TMS.TDI引脚接地，这样更能进步体系的抗干扰才能，关于进步体系的稳定性是十分首要的。
四、对未用到的IO口／模仿输进口的处理
对未用到的IO口主张：设置为漏极开路；并加固定电平；或设置为推挽方法；未用的模仿输入也要接地(接模仿地)。
五、在电路规划时的IO口／模仿输进口的维护
1、在或许对IO口有瞬态冲击的情况下，必定要对IO口进行维护，如或许会有瞬间大电流，就要在IO口上串接限流电阻，主张取值100欧姆。如有瞬态大电压，就要在IO口上接TVS或快速反应二极管。
2、对在产品中运用的模仿输入引脚的输入电平，要在器材的答应规模值内(详细的参数见数据手册)。一般的ADC的输入电压规模是0V~VREF。一起不能够超越器材的极限参数(见数据手册)，不然或许形成永久性损坏。详细的做法能够加两个肖特基二极管到电源和地。
3.IO口操控的东西必定要加锁存器，不然复位后，IO口会康复高电平
六、编写软件方面的留意事项
1、如运用C51编程，在运用指针变量(对FLASH进行写操作)按如下方法界说：
unsigned char xdata *idata(或data) pwrite；
这样做的意图是保证写FLASH的指针的地址被分配在或
2、不必的代码空间悉数清为“0”，这能够在程序跑飞后再从头运转。在跳转指令前加两到三个NOP指令。这样也能够在程序跑飞后从头运转。
