光电FET能够用作一只可变电阻，或与一只固定电阻一同用作电位器。H11F3M光电FET有7.5kV的阻隔电压，因而能够安全地操控高压电路参数。但这些器材的非线性传输特性或许成为问题（图1）。为了校对这种非线性，能够选用一种简略的反应机制，使电位器发生一种线性呼应（图2），本电路使用了两只光电FET，一只作反应，另一只则用于需求阻隔电位器的使用。将两只光电FET的输入端串联，就能够确保输入LED有相同数量的电流。
FET输出端放50kΩ的电阻，以模仿电位器的呼应。电路对设定输入电压（用电位器R7调理）和光电FET1的反应之间的差值做扩大。得到的输出操控光电FET LED中的电流，直到反应电压等于输入电压时停止。输出电压以线性方法跟从输入电压（图3）。或许你会以为相同器材号的光电FET没什么差异，但实际上仍是体现出了细小的制作差异。五只H11F3M器材的误差在3%以内。
