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ADRF5132SPST、SPDT、SP3T、SP4T、SP5T、SP6T、SP8T参数介绍及中文PDF下载

ADRF5132相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,ADRF5132供应信息可在查IC网

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产品概况

ADRF5132 是一款高功率反射式 0.7 GHz 到 5.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关,选用无铅的外表贴装式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施运用,如长时间演进 (LTE) 基站。ADRF5132 具有 35 dBm LTE 的高功率处理才能(105°C 时的均匀典型值)、2.7 GHz 时 0.6 dB 的低插入损耗、65 dBm 的输入三阶截距(典型值)和 42.5 dBm 的 0.1 dB 压纹 (P0.1dB)。

片内电路运用 5 V 的单一正电源作业,典型电源电流为 1.1 mA,使得 ADRF5132 成为根据 Pin 二极管的开关的抱负代替计划。

此器材选用契合 RoHS 指令的紧凑式 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP 封装。

运用

  • 蜂窝/4G 基础设施
  • 无线基础设施
  • 军事和高可靠性运用
  • 测验设备
  • Pin 二极管代替计划

优势和特色

  • 反射式 50 Ω 规划
  • 低插入损耗:2.7 GHz 时为 0.6 dB(典型值)
  • TCASE = 105°C 时具有高功率处理才能
    • 耐久(>10 年运转)
      • 峰值功率:43 dBm
      • 接连波功率:38 dBm
      • 均匀 LTE 功率 (8 dB PAR):35 dBm
  • 单一事情(<10 秒运转)
    • 均匀 LTE 功率 (8 dB PAR):41 dBm

ADRF5132电路图

ADRF5132

ADRF5132中文PDF下载地址

ADRF5132下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/adrf5132.pdf

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