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单片机开发中的根本技巧简介

在单片机应用开发中,代码的使用效率问题、单片机抗干扰性和可靠性等问题仍困扰着工程师。为帮助工程师解决单片机设计上的难题,《电子工程专辑》网站特邀Holtek香港分公司工程部处长邓宏杰先生担任《单片机应

单片机运用开发中,代码的运用功率问题、单片机抗搅扰性和可靠性等问题仍困扰着
工程师。为协助工程师处理单片机规划上的难题,《电子工程专辑》网站特邀Holtek香
港分公司工程部处长邓宏杰先生担任《单片机运用编程技巧》专题评论的嘉宾,与广阔
规划工程师沟通单片机规划开发经历。现依据论坛中的评论概括出单片机开发中应把握
的几个根本技巧

一、 怎么进步C言语编程代码的功率

邓宏杰指出,用C言语进行单片机程序规划是单片机开发与运用的必然趋势。他着重:“
假如运用C编程时,要到达最高的功率,最好了解所运用的C编译器。先实验一下每条C语
言编译往后对应的汇编言语的句子行数,这样就能够很清晰的知道功率。在往后编程的
时分,运用编译功率最高的句子。”

他指出,各家的C编译器都会有必定的差异,故编译功率也会有所不同,优异的嵌入式系
统C编译器代码长度和履行时刻仅比以汇编言语编写的相同功用程度长5-20%。他说:“
关于杂乱而开发时刻紧的项目时,能够选用C言语,但条件是要求你对该MCU体系的C言语
和C编译器十分了解,特别要注意该C编译体系所能支撑的数据类型和算法。尽管C言语是
最遍及的一种高档言语,但由于不同的MCU厂家其C言语编译体系是有所不同的,特别是
在一些特别功用模块的操作上。所以假如对这些特性不了解,那么调试起来问题就会很
多,反而导致履行功率低于汇编言语。”

二、 怎么削减程序中的bug?

关于怎么削减程序的bug,邓宏杰给出了一些主张,他指出体系运转中应考虑的超范围管
理参数有:
1.物理参数。这些参数主要是体系的输入参数,它包含鼓励参数、收集处理中的运转参
数和处理完毕的成果参数。合理设定这些鸿沟,将超出鸿沟的参数都视为非正常鼓励或
非正常回应进行犯错处理。
2.资源参数。这些参数主要是体系中的电路、器材、功用单元的资源,如记忆体容量、
存储单元长度、堆叠深度。在程式规划中,对资源参数不允许超范围运用。
3.运用参数。这些运用参数常表现为一些单片机、功用单元的运用条件。如E2PROM的擦
写次数与材料存储时刻等运用参数边界。
4.进程参数。指体系运转中的有序改变的参数。

三、怎么处理单片机的抗搅扰性问题

邓宏杰指出:避免搅扰最有用的办法是去除搅扰源、间隔搅扰途径,但往往很难做到,
所以只能看单片机抗搅扰才能够不够强了。单片机搅扰最常见的现象便是复位;至于程
序跑飞,其实也能够用软件圈套和看门狗将程序拉回到复位状况;所以单片机软件抗干
扰最重要的是处理好复位状况。
一般单片机都会有一些标志寄存器,能够用来判别复位原因;别的你也能够自己在RAM中
埋一些标志。在每次程序复位时,经过判别这些标志,能够判别出不同的复位原因;还
能够依据不同的标志直接跳到相应的程序。这样能够使程序运转有连续性,用户在运用
时也不会察觉到程序被从头复位过。

四、 怎么测验单片机体系的可靠性

有读者期望了解用用什么办法来测验单片机体系的可靠性,邓宏杰指出:“当一个单片
机体系规划完结,关于不同的单片机体系产品会有不同的测验项目和办法,但是有一些
是有必要测验的:
1.测验单片机软件功用的完善性。这是针对一切单片机体系功用的测验,测验软件是否
写的正确完好。
2.上电、掉电测验。在运用中用户必然会遇到上电和掉电的状况,能够进行屡次开关电
源,测验单片机体系的可靠性。
3.老化测验。测验长时刻作业状况下,单片机体系的可靠性。必要的话能够放置在高温
,高压以及强电磁搅扰的环境下测验。
4、ESD和EFT等测验。能够运用各种搅扰模仿器来测验单片机体系的可靠性。例如运用静
电模仿器测验单片机体系的抗静电ESD才能;运用突波杂讯模仿器进行快速脉冲抗搅扰E
FT测验等等。

邓宏杰着重:“还能够模仿人为运用中,可能发生的损坏状况。例如用人体或许衣服织
物成心冲突单片机体系的触摸端口,由此测验抗静电的才能。用大功率电钻接近单片机
体系作业,由此测验抗电磁搅扰才能等。”

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