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cmos+忆阻器完成高效分布式处理兼存储功用的传感器架构

cmos+忆阻器实现高效分布式处理兼存储功能的传感器架构-依靠忆阻器执行像素级自适应背景提取算法的成像传感器架构,与全cmos成像传感器相比,基于忆阻器的解决方案可取得更小的像素间距和非易失性存储功能

本文介绍一个依托忆阻器履行像素级自习惯布景提取算法的成像传感器架构。内置光频转换器(L2F)的像素是图画处理的中心组件,其输出的与光强成正比的数字脉冲被施加到忆阻器后,忆阻器电阻将会产生相应改变。别的两个忆阻器用于保存动态鸿沟,鸿沟外的光生信号行为被认为是反常,即意外快速改变。与全cmos成像传感器比较,根据忆阻器的解决方案可获得更小的像素距离和非易失性存储功用,让规划人员能够运用可编程时刻常数树立图画布景模型。

1.前语

曩昔的几十年,业界环绕cmos架构视觉传感器理论进行了许多广泛的研讨和讨论,旨在于在成像前期阶段处理图画,从场景中提取最重要的特征,假如换作其它办法到达相同意图,例如,运用一般计算技术,则需要为此花费贵重的本钱。在这个方面,运动侦测是最重要的图画特征之一,是多个杂乱视觉使命的根底。本文要点介绍时刻比照概念,这个概念在许多使用中特别重要,包含交通监控、人体运动摄影和视频监督。这些使用要求图画侦测精确并牢靠,形状侦测精确,改变反响及时。此外,运动检测还必须灵敏地习惯不同的作业场景和光强条件。布景提取是现在最被认可的运动侦测办法。布景提取便是生成一个布景预算值,然后逐帧更新。剖析运动类型,并将其与场景中特定目标相关,以便进行更高等级的处理,在这个过程中,光强改变无疑是协助咱们发现运动的第一个头绪。由于或许会在某一时刻点意外侦测到一切像素的改变,其间包含光线、暗影、噪声引起的改变,相对于曩昔,像素改变过快时,应该考虑的潜在改变。因而,应该在像素级完成一种低通存储器,盯梢像素比照改变,并在像素行为改变时宣布报警。

本文介绍怎么使用忆阻器完成上述算法。在上个世纪70年代,蔡少棠教授从理论上预言存在一种叫做忆阻器的无源器材,2008年惠普实验室演示了这种无源器材的物理模型,顾名义,忆阻器是一种可变电阻器,其导通状况能够回忆曾经流经忆阻器的电流前史。

本文主要内容如下:下一章介绍与输入偏压有关的忆阻器行为,特别是根据脉冲的编程,这是本文的研讨根底。第三章介绍像素作业原理,第四章要点介绍像素完成。第五章介绍仿真成果,第六章是定论。

II.忆阻器行为

如前文所述,忆阻器能够视为一个时刻可变的电阻器,电阻值取决于曾经流经忆阻器的电流值。

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