
PowerMOSFET在变频器电路中如何起续流保护作用-PowerMOSFET有三个极,即源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。控制信号“GS加于栅极和源极之间,改动UGS的大小,便可改动漏极电流ID的大小。由于栅—源极之间的阻抗十分大,因而控制电流能够极小,简直为0,所以驱动功率很小。器件内寄生有反向二极管,它在变频器电路中起续流维护作用。

高速低端MOSFET驱动器FAN3XXX系列产品的特点与典型应用电路分析-FAN3XXX系列是飞兆公司(FAIRCHILD)2007年10月推出的新产品,是一种高速低端MOSFET驱动器系列。该系列各种驱动器与PWM控制器及功率MOSFET组合可设计出各种高频、大功率开关电源。根据驱动器的通道数、输出电流大小,有不同的封装及型号,可满足各种开关电源的大小结构及不同输出功率的需要,如表1所示。

本特利3300系列传感器的校验过程解析-探头由通有高频信号的线圈构成,被测轴金属表面与探头相对位置变化时,形成的电涡流大小改变,使探头内高频信号能量损失大小变化,这个变化的信号通过前置器转化成与探头所测间隙的电压相对应的电压信号,该信号进往组件箱中的监测器,经监测器内部转换后以读数显示。

Linux0.11-缓冲区初始化-memory_end = (1<<20) + (EXT_MEM_K<<10);memory_end &= 0xfffff000;if (memory_end > 16*1024*1024)memory_end = 16*1024*1024;if (memory_end > 12*1024*1024) //内存>12M 设置高速缓冲区大小4Mbuffer_memory_end = 4*1024*1024;else if (memory_end > 6*1024*1024)// 内存>6M 设置高速缓冲区大小2Mbuffer_memory_end = 2*1024*1024;elsebuffer_memory_end = 1*1024*1024;//否则设置高速缓冲大小1Mmain_memory_start = buffer_memory_end;#ifdef RAMDISKmain_memory_start += rd_init(main_memory_start, RAMDISK*1024);#endif