
本站为您提供的pcb阻焊层开窗是什么意思_PCB阻焊层开窗的原因,本文开始阐述了阻焊层的概念,其次对阻焊层的工艺要求和工艺制作进行了详细的阐述,最后解释了pcb阻焊层开窗的概念和PCB阻焊层开窗的原因。

利用FPGA设计技术降低功耗,如何实现设计解决方案-在90nm工艺时,电流泄漏问题对ASIC和FPGA都变得相当严重。在65nm工艺下,这一问题更具挑战性。为获得更高的晶体管性能,必须降低阈值电压,但同时也加大了电流泄漏。Xilinx公司在降低电流泄漏方面做了许多努力,尽管如此,源于泄漏的静态功耗在最差和典型工艺条件下的变化仍然有2:1。泄漏功耗受内核电压(VCCINT)的影响很大,大约与其立方成比例,哪怕VCCINT仅上升5%,静态功耗就会提高约 15%。最后,泄漏电流还与结(或芯片)温密切相关。

本站为您提供的mems传感器现状_mems传感器制作工艺,MEMS技术基于已经是相当成熟的微电子技术、集成电路技术及其加工工艺。它与传统的IC工艺有许多相似之处,如光刻、薄膜沉积、掺杂、刻蚀、化学机械抛光工艺等,但是有些复杂的微结构难以用IC工艺实现,必须采用微加工技术制造。

基于一款采用了65nm工艺制程的Emerald 67M图像传感器正式上市-作为Teledyne e2v的Emerald系列的新成员,该传感器采用TowerJazz公司全新研发的65nm工艺制程,由日本鱼津做晶圆代工,世界上最小的2.5μm低噪声全局快门像素技术。小尺寸和极低噪声(单电子)的像素,融合了独特的光管技术,卓越的偏转响应、超过80dB的快门效率这种独特的像素结构提供尖端性能,通过检测较小的缺陷,提高制造产量。

基于max7000芯片和可编程逻辑器件实现时间数字转换电路的设计-时间数字转换(tdc)技术原本是实验核物理中的课题,随着科学技术的不断发展,精密时间测量数字化技术在高能物理、雷达、激光和声纳测距、通信测向、遥感成像等都应用了高分辨率的tdc技术,全数字集成电路的工艺简单,造价较低,设计难度较小,是电路设计人员追求的目标,因此,全数字的tdc也成为研究人员关注的问题,文献报道了一种全数字化的模数变换电路(adc),该方法本质上是基于全数字tdc的,以0.8μm cmos工艺在0.45mm2面积上实现了18位全数字的adc,该芯片在10ks/s采样率下可以达到12μv分辨率,非线性度为±0.1%。文献报道了该系统的tdc原理和专用集成电路(asic),用1.5μm的cmas工艺以1.1mm2面积实现了13位的tdc,其分辨率仅为单个门的延时时间,约0.5ns。