基于双极工艺的高速运算放大器的电路设计-随着微电子技术的发展， 运算放大器在科研应用中起着越来越重要的作用。高速运算放大器已广泛应用于A/D与D/A 转换器、有源滤波器、积分器、精密比较器、波形发生器和视频放大器等各种电路中， 这些电路不仅要求提高运放的频带宽度、转换速率和电压增益， 同时还要降低其输入失调电压和电流以及温度漂移。为此， 需要对电路进行优化设计， 兼顾工艺制造， 才能设计出更加高性能的运算放大器。
新型低功耗LNA电路架构的优化和实现设计-随着无线通信技术的迅猛发展，无线终端小型化、低功耗、低成本、高性能已成为射频集成电路（RFIC）发展的必然趋势。以往的MOS管高频性能相对较差，传统的射频收发机主要采用GaAs、BiCMOS、Bipolar工艺实现，但价格昂贵，且不利于与CMOS 数字基带部分单片集成。近年来随着亚微米、深亚微米CMOS技术的日趋成熟、截止频率fT不断提高，CMOS工艺在性能上已经能满足RF需要，且CMOS 工艺具有成本低、集成度高、功耗小等特点，因此CMOS RFIC已成为国际上的研发热点。
采用开关电容来增加调节范围实现3.7GHz CMOS VCO的电路设计-用于射频系 统（如无线接收机）的本振电路需要有足够大的调节范围以及良的性能。CMOS VCO由于可用于实现全集成的无线接收机，一直备受关注。然而由于受到MOS管和电感寄生电容的影响，CMOS LCVCO的调节范围相对于采用HBT、SiGe和MESFET等工艺的振荡器来说要小得多。同时VCO的振荡频率受工艺、电源电压以及温度（PVT）的 影响很大，这需要VCO有足够的调节范围以补偿PVT变化所带来的影响。
高集成度模数转换器AD7656的特性和应用分析-美国模拟器件公司（ADI）发布了一种创新的半导体制造工艺，这种工艺技术是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合，并将该工艺命名为iCMOS（工业CMOS）。使诸如工厂自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面均得到极大提升。
西门子plc的型号选择_西门子plc型号说明-本文主要介绍了西门子plc的型号选择及型号说明。首先需要根据工艺要求：确定输入、输出点数，也就是DI、DO、AI、AO。
FPGA芯片的工艺结构-目前最大的两个FPGA厂商Altera公司和Xilinx公司的FPGA产品都是基于SRAM工艺来实现的。这种工艺的优点是可以用较低的成本来实现较高的密度和较高的性能;缺点是掉电后SRAM会失去所有配置，导致每次上电都需要重新加载。
张力传感器在加弹机纺织机械中的应用介绍-加弹机作为化纤行业的主要设备，各方面技术已经相当成熟，它的工艺思路，从加弹机诞生到现在未有发生重大的变化，仍然维持原有的工艺设计。
本站为您提供的显影、蚀刻、去膜（DES）工艺指导书/说明书，显影、蚀刻、去膜（DES）工艺指导书/说明书
一.目的：本指导书规定显影、蚀刻、去膜（DES）工位的工作内容和步骤。
