模数转换器(ADC)中集成的缓冲器和放大器通常是斩波型。因为与其他工艺(如双极性工艺)相比，CMOS晶体管噪声高，难以匹配。这种斩波技术可以用来最大程度
基于对0.18 μm标准CMOS工艺的研究，本文设计了一套完备的电源电压为0.4 V的亚阈值数字标准单元库。设计流程包括工艺研究与方案设计、单元设计与物理实现、库文件的提取以及单元库验证。提出了传统沟
图形化工艺是要在晶圆内和表面层建立图形的一系列加工，这些图形根据集成电路中物理“部件”的要求来确定其尺寸和位置。图形化工艺还包括光刻、光掩模、掩模、去除氧化膜、去除金属膜和微光刻。图形化工艺是
元器件布局要根据smt贴片加工生产设各和工艺特点进行设计。不同的工艺，如smt贴片再流焊和波峰焊，对元件的布局是不一样的：双面再流焊时，对主面和辅面的布局也有不同的要求等等。
