原子层刻蚀和沉积工艺利用自限性反应，提供原子级控制。泛林集团先进技术发展事业部公司副总裁潘阳博士 分享了他对这个话题的看法。图 1. 原子层工艺中的所有半周期反应是自限性反应。技术节点的每次进步都要求
器件的良率在很大程度上依赖于适当的工艺规格设定和对制造环节的误差控制，在单元尺寸更小的先进节点上就更是如此。过去为了识别和防止工艺失效，必须要通过大量晶圆的制造和测试来收集数据，然后对采集到的数据进行
2004年4月B版 最近一段时间，几家芯片生产商陆续宣布将芯片转向无铅工艺，初看起来主要是针对芯片的封装工艺改变，但这种工艺的改变似乎正在顺应一种不可抗拒的趋势。 WolfsonMicroelectr
与其说45nm刚刚走到我们面前，不如说我们已经可以准备迎接32nm工艺时代，因为据三星存储合作伙伴透露，今年底或明年初三星将开始试产30nm工艺半导体存储芯片，其闪存芯片更是早于Intel迈向了5
TSMC做为全世界晶圆代工厂的领头羊，在规划投资的时候（例如2012年资本投入83亿美元，营收171亿美元），事实上是先进工艺跟成熟主流工艺并进的。TSMC有一个既深且广的工艺平台，就纵向深度来讲，
MEMS，算是半导体产业中比较特殊的一个门类。相比于CMOS工艺，MEMS工艺的集成度不仅是数量、规模上的，还具有另一个层面的意义——集成更多的器件类型和结构功能。它是学科交叉的产物。MEMS和C
闪存是当今数据存储的重要介质之一，主流的闪存体系有NAND和NOR两种。不过随着半导体工艺不断发展，相比于NAND技术的快速演进，NOR技术似乎在几年前工艺就迟滞不前，因为存在部分设计缺陷而让NOR闪
基于分裂式ADC的LMS算法实现数字后台校正-模数转换器（ADC）是连接模拟世界与数字世界的桥梁，在纳米工艺节点下，SAR ADC具有功耗低、结构简单、易集成等特点成为研究热点。但由于工艺误差，电容的匹配精度难以高于0.1%，成为影响ADC线性度的主要因素。
TLC5510模数转换器的特点及在线阵CCD数据采集系统中的应用-TLC5510是美国TI公司生产的新型模数转换器件（ADC），它是一种采用CMOS工艺制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采样率为20MSPS.由于TLC5510采用了半闪速结构及CMOS工艺，因而大大减少了器件中比较器的数量，而且在高速转换的同时能够保持较低的功耗。
