摘要本文探讨一套解决芯片单元级电测试过程电源电流失效问题的方法。当采用QFN-MR(四边扁平无引线–多排引脚封装)的BiCMOS (双极互补金属氧化物半导体)芯片进入量产预备期时，电源电流失效是一个进
常规的微波检波二极管、梁式引线二极管视频阻抗(rv)测试方法与仪器存在与国家测试标准(gb6570-86)不一致的缺陷，急需研制出一种新型的视频阻抗测试仪以满足某重点工程对rv测试精度的要求。目前，该
以前的数字逻辑电路及系统的规模的比较小而且简单，用电路原理图输入法基本足够了。但是一般工程师需要手工布线，需要熟悉器件的内部结构和外部引线特点，才能达到设计要求，这个工作量和设计周期都不是我们能想象的
IGBT在逆变电路中的测试与仿真，IGBT逆变器缓冲定律-在设计缓冲电路时，应考虑到缓冲二极管内部和缓冲电容引线的寄生电感。利用小二级管和小电容并联比用单只二极管和单只电容的等效寄生电感小，并尽量采用
详解TSV（硅通孔技术）封装技术-硅通孔技术（Through Silicon Via， TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术
手工焊接贴片元件经验总结- 现在越来越多的电路板采用表面贴装元件，同传统的封装相比，它可以减少电路板的面积，易于大批量加工，布线密度高。贴片电阻和电容的引线电感大大减少，在高频电
在您的电源中很容易找到作为寄生元件的100fF电容器。您必须明白，只有处理好它们才能获得符合EMI标准的电源。从开关节点到输入引线的少量寄生电容(100毫微微法拉)会让您无法满足电磁干扰(EM
