在早先的技术节点中，由于器件尺寸较大，能采用成核及平整化化学气相沉积(CVD)技术进行钨(W)填充。如今，由于插塞处的超小开口很容易发生悬垂现象，因此薄膜表面均匀生长的共形阶段可能在填充完成前就关闭或