如何对单片机进行抗干扰设计-传统的集成电路设计中，在电源、地的引出上通常将其安排在对称的两边。如左下角是地，右下角是电源。这使得电源噪声穿过整个硅片。改进的技术将电源、地安排在两个相邻的引脚上，这样一方面降低了穿过整个硅片的电流，一方面使外部去耦电容在PCB设计上更容易安排，以降低系统噪声。
本站为您提供的太阳能电池制作工艺，太阳能电池制作工艺包括硅片切割，去除损伤层，制绒，扩散制结，边缘刻蚀、清洗，沉积减反射层，丝网印刷上下电极，共烧形成金属接触，电池片测试步骤等。详情请看下文
医疗应用新突破 MEMS压力传感器创新设计-目前的MEMS压力传感器有硅压阻式压力传感器和硅电容式压力传感器，两者都是在硅片上生成的微机械电子传感器。研发人员制作出一种小型传感器，这种传感器将一个稳定的膜片与易传感的硅纳米线结合在一起，从而使得MEMS压力传感器可以更稳定耐用。
浅谈倾角传感器组成和使用-角度传感器硅片 倾角传感器又叫做叫角度传感器，不难看出是通过传感器的技术来测量角度，在选择传感器的时候需要知道，传感器测量的范围是多少，测量的精度要求是什么样子的，如何安装起来更加简单便捷，甚至以后是如何来保养传感器？
高温微型压力传感器的制作工艺及应用原理解析-高温压力传感器由硅膜片、衬底、下电极和绝缘层构成。其中下电极位于厚支撑的衬底上。电极上蒸镀一层绝缘层。硅膜片则是利用各向异性腐蚀技术，在一片硅片上从正反面腐蚀形成的。上下电极的间隙由硅片的腐蚀深度决定。硅膜片和衬底利用键合技术键合在一起，形成具有一定稳定性的硅膜片电容压力传感器［2］。由于铂电阻耐高温，且对温度敏感，选用铂电阻，既可以当普通电阻使用，又可以作为温度传感器用以探测被测环境的温度。
详解MEMS技术的发展历史进程-MEMS第一轮商业化浪潮始于20世纪70年代末80年代初，当时用大型蚀刻硅片结构和背蚀刻膜片制作压力传感器。由于薄硅片振动膜在压力下变形，会影响其表面的压敏电阻走线，这种变化可以把压力转换成电信号。后来的电路则包括电容感应移动质量加速计，用于触发汽车安全气囊和定位陀螺仪。 第二轮商业化出现于20世纪90年代，主要围绕着PC和信息技术的兴起。
浅谈MEMS技术工艺的发展及未来-MEMS第一轮商业化浪潮始于20世纪70年代末80年代初，当时用大型蚀刻硅片结构和背蚀刻膜片制作压力传感器。由于薄硅片振动膜在压力下变 形，会影响其表面的压敏电阻走线，这种变化可以把压力转换成电信号。
Synaptics公司与富士通公司推出了划擦型传感器的不同技术路线-大部分划擦型指纹传感器，比如说富士通微电子公司最新推出的MBF320PBT-GE1，都是采用电容性感应原理在硅片上实现的。但是为了避免使用硅片，Synaptics公司近日与Validity Sensors公司合作，研制出一种划擦触摸盘(swipe touch pad)解决方案，该方案采用一个低成本Kapton触摸传感器和独立的ASIC来处理信号。
低功耗系统设计全方位解析：从硅片工艺到嵌入式软件, 低功耗系统设计需要注意很多非传统性因素，从硅片工艺技术，直到在微控制器嵌入平台上运行的软件。在系统级做仔细检查可揭示出决定微控制器能效的三个主要参数
