为了使LED通向照明，各大厂急需解决的问题是降低本钱，添加光通量。其间有用的方法是在不添加本钱的情况下，怎么注入大电流。本封装适合于笔直结构LED，工艺上撤销本来的LED芯片N–面ITO电极，代替的是涂布型通明电极工艺结合PET薄膜构成无金线的封装方式。
具体步骤如图B，LED笔直结构芯片(2)P–面焊接与基板(1)正电极，导电基材Cu(3)焊接与基板(1)负电极，LED芯片与基材Cu的高度根本共同，涂布型通明导电资料(4)涂布于PET薄膜(5)，涂布型通明导电资料(4)衔接LED芯片(2)N–面与导电基材Cu(3) 顶部。构成三维薄膜封装。
LED芯片结构优化如图A，芯片N–面无需制造电极，无需电流分散，无需焊盘。代替原有ITO电极将是涂布型通明电极。
三维封装优势;1)芯片N–面的电流注入与P–面根本类似，构成等电位电流。能够注入大电流。2)电极方式优于梳状电极能够加大芯片尺寸，进步光效。3)添加光通量，降低本钱。4)薄膜封装完成轻浮化。5)无金线封装添加器材稳定性。6)便于模块化出产。
芯片层面;1)撤销电极删，削减遮光。2)无电极制造，减化工艺。
注;涂布型通明电极是代替ITO的一种趋势。现有涂布型资料透光率80%以上;包含1)涂布型ITO导电颗粒，2)高分子导电资料，3)纳米银导电颗粒，4)Ag丝墨。其间电阻最低的是Ag丝。方阻0.1—–0.2欧姆。优于ITO方阻7—-8欧姆。
