三星电子今日宣告，现已完结了历史上第一款DDR4 DRAM规范内存条的开发，并选用30nm级工艺制作了第一批样品。
时至今日，DDR4内存的规范规范仍未终究确定。三星这条样品归于UDIMM类型，容量为2GB，运转电压只要1.2V，作业频率为2133MHz，并且凭仗新的电路架构最高能够到达3200MHz。相比之下，DDR3内存的规范频率最高仅为1600MHz，运转电压一般为1.5V，节能版也有 1.35V。仅此一点，DDR4内存就能够节能最多40%。
依据此前的规划，DDR4内存频率最高有或许高达4266MHz，电压则有或许降至1.1V甚至1.05V。
三星表明，这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“Pseudo Open Drain”(虚拟开漏极)技能，在读取、写入数据的时分漏电率只要DDR3内存的一半。
三星称，上月底现已向一家控制器制作商供给了这种DDR4内存条的样品进行测验，并方案与多家内存厂商密切合作，协助JEDEC安排在本年下半年完结DDR4规范规范的拟定作业，估计2012年开端投入商用。
回顾历史，三星曾于1997年、2001年、2005年三次别离首先造出第一条DDR、DDR2、DDR3内存条，现在又在DDR4上持续坚持了领先地位。
