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产品概况
LTC®4444 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强壮的驱动才能降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。
LTC4444 针对两个与电源无关的输入进行装备。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源能够在高出地电位达 114V 的电压条件下运转。
LTC4444 包括欠压闭锁电路，用于在器材启动时停用外部 MOSFET。LTC4444 还内置了自适应贯穿维护功用，用于阻挠两个 MOSFET 一起传导。
如需了解该产品系列的类似驱动器，请查阅下表。
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参数 |
LTC4444 |
LTC4446 |
LTC4444-5 |
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贯穿维护功用 |
有 |
无 |
有 |
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肯定最大 TS |
100V |
100V |
100V |
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MOSFET 栅极 |
7.2V 至 13.5V |
7.2V 至 13.5V |
4.5V 至 13.5V |
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VCC UV+ |
6.6V |
6.6V |
4V |
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VCC UV－ |
6.15V |
6.15V |
3.55V |
使用
- 分布式电源架构
- 轿车电源
- 高密度电源模块
- 电信
优势和特色
- 自举电源电压至 114V
- 宽 VCC 电压：7.2V 至 13.5V
- 自适应贯穿维护功用
- 2.5A 峰值 TG 上拉电流
- 3A 峰值 BG 上拉电流
- 1.2Ω TG 驱动器下拉电阻
- 0.55Ω BG 驱动器下拉电阻
- 5ns TG 下降时间驱动 1nF 负载
- 8ns TG 上升时间驱动 1nF 负载
- 3ns BG 下降时间驱动 1nF 负载
- 6ns BG 上升时间驱动 1nF 负载
- 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
- 欠压闭锁功用
- 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装
LTC4444电路图
