场效应管是什么
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET）和金属 – 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由大都载流子参加导电，也称为单极型晶体管。它归于电压操控型半导体器材。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态规模大、易于集成、没有二次击穿现象、安全作业区域宽等长处，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强壮竞争者。
场效应管（FET）是运用操控输入回路的电场效应来操控输出回路电流的一种半导体器材，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的大都载流子导电，又称单极型晶体管。
FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
场效应管作业原理
场效应管作业原理用一句话说，便是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结构成的反偏的栅极电压操控ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的改变，发生耗尽层扩展改变操控的原因。在VGS=0的非饱满区域，表明的过渡层的扩展由于不很大，依据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID活动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成阻塞型，ID饱满。将这种状况称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挠，并不是电流被堵截。
在过渡层由于没有电子、空穴的自在移动，在抱负状况下简直具有绝缘特性，一般电流也难活动。可是此刻漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层触摸漏极与门极下部邻近，由于漂移电场拉去的高速电子经过过渡层。因漂移电场的强度简直不变发生ID的饱满现象。其次，VGS向负的方向改变，让VGS=VGS（off），此刻过渡层大致成为掩盖全区域的状况。并且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只要接近源极的很短部分，这更使电流不能流转。
MOS场效应管电源开关电路
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管（MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor， MOSFET）。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型一般称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。关于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，相同关于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）操控，能够以为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器材有很高的输入阻抗，一起这也是咱们称之为场效应管的原因。
在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流经过。这是由于在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被招引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，然后构成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被集合在P型半导体端，负电子则集合在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流经过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面剖析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此刻场效应管处与截止状况（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的效果，此刻N型半导体的源极和漏极的负电子被招引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挠，使得电子集合在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），然后构成电流，使源极和漏极之间导通。能够想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的树立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的巨细由栅压的巨细决议。
C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）
电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起运用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状况下作业，其相位输入端和输出端相反。经过这种作业方式咱们能够获得较大的电流输出。一起由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，一般在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正由于如此，使得该电路不会由于两管一起导通而形成电源短路。
