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恒忆(NUMONYX)推出新系列相变存储器

恒忆(Numonyx)作为相变存储技术(PCM)的创新者,今天宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术,具有更高

恒忆(Numonyx)作为相变存储技能(PCM)的立异者,今日宣告正式推出全新系列相变存储器。该系列产品选用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技能,具有更高的写入功用、耐写次数和规划简易性,适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式运用设备。现在该产品现已量产,并向商场供货。

这种新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的长处于一身,一颗存储器芯片即可完成许多新功用。今日,新产品发布选用了新品牌Numonyx® Omneo™ PCM,其写入速度有望到达现有闪存的300倍,耐写次数到达10倍。

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“自闪存于1988年面世至今,业界还从未见过一个如此簇新的高密度存储技能,”恒忆副总裁兼嵌入式体系业务部总经理Glen Hawk表明,“今日,关于代码存储和履行,以及数据存储运用,规划工程师有必要运用不同类型的存储器。现在,跟着恒忆的Omneo相变存储器面世,规划人员将取得一个简略的、单一存储器处理方案。”

今日推出的新产品包含支撑串行外设接口(SPI)的存储器(Omneo™ P5Q PCM)和支撑并行NOR接口的存储器(Omneo™ P8P PCM)。两种接口产品都充使用新的PCM的技能优势,一起兼容工业规范的串行接口和并行接口。

Numonyx® Omneo™ P5Q PCM

Omneo™ P5Q PCM是一款兼容高速SPI接口的90nm相变存储器,集串行NOR闪存和EEPROM两大存储器的技能长处于一身,具有字节修正功用以及更高的写入速度和耐写功用。

新存储器支撑字节修正功用,履行写操作无需再擦除大数据区块,从而使数据处理和软件编程变得更简单。覆写即“无擦除”功用让工程师和规划人员可以简化软件开发使命,提高体系功用,将存储器写时刻缩短到闪存的三百分之一。新产品Omneo™ P5Q的耐写次数到达100万次,可写数据的量次是闪存的10倍。

Numonyx® Omneo™ P8P PCM

Numonyx® P8P PCM是恒忆推出的第二款90nm128Mb并口相变存储器。第一款是在2008年12月推出的,支撑10万次的耐写次数。第二款产品将这个参数提高到100万次。

现在两款产品均在量产。

Numonyx® Omneo™演绎“万能,全新”

恒忆还发布了公司为嵌入式运用相变存储器创立的新品牌:Numonyx® Omneo™ PCM。选用产品专用品牌办法是为了更效地支撑公司的产品战略:针对特定的客户运用商场需求,研发量身订制的存储器处理方案。

“由于相变存储器的特性不同,可以处理不同细分商场的共同难题,所以恒忆决议用差异化的品牌战略宣扬新产品的共同性,” 恒忆主管公司商场部的高档总监Raymond Solone表明,“相变存储器技能带给客户的新功用和优势,咱们追求直接将品牌战略与PCM为实践运用范畴带来的价值,以及使用这项技能优势的细分商场严密联系起来。PCM是一项超乎寻常的存储器技能。”

Omneo™ 品牌代表相变存储器适用于嵌入式规划范畴一切运用的内涵才能(“omni”)和新一类存储器(“neo”)。从消费电子到工业运用,Omneo系列相变存储器的研发方针是完成嵌入式存储器体系立异的规划办法,供给久远的制程晋级才能和产品可靠性。

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