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电化学阻抗谱的使用及其解析办法

电化学阻抗谱的应用及其解析方法-一般Nyquist图谱比较普遍,Nyquist图谱是由一个半圆部分和一个线性部分组成,半圆部分在高频区,对应的是电子转移限制过程,半圆越大,电阻就越大,后面直线部分在低频范围,对应的是扩散限制过程。

电化学沟通阻抗谱图


      沟通阻抗发式电化学测验技能中一类十分重要的办法,是研讨电极进程动力学和外表现象的重要手法。特别是近年来,因为频率呼应分析仪的快速开展,沟通阻抗的测验精度越来越高,超低频信号阻抗谱也具有杰出的重现性,再加上核算机技能的前进,对阻抗谱解析的自动化程度越来越高,这就使咱们能更好的了解电极外表双电层结构,活化钝化膜转化,孔蚀的诱发、开展、停止以及活性物质的吸脱附进程。

沟通阻抗谱检测办法是给被测系统施加一个小振幅的单正弦波扰动,或许是不同频率正弦波的叠加,一般是正弦波方式的电压或许是电流,成果发生相应的电流或电压的呼应信号。

如图2上图电流电压曲线所示,在系统直流电压E。的条件下外加正弦波电压Esin(ωt)(ω为角频率),那么在直流电流I0的基础上就会得到一个正弦波电流I=sin(ωt+Ф)。得到的电流呼应值I受外加电压E操控。依据欧姆定律Z(ω)=E(ω)/I(ω)可核算出在某个频率下系统的阻抗值z。

电化学阻抗技能中,z被界说为一个复数,即Z(ω)=Zre(ω)+jZim(ω),Z2=Zre2+Zim2。其间实部 Zre=∣ Z∣cosθ,虚部Zim=∣Z∣Sinθ相位角θ=tan-1(Zim/Zre)。

以Zre对Zim作图,称为Nyquist图谱(如图2下图左图谱所示),能够明晰地给出实部和虚部的数值,并可进行系统定性分析。但它不能给出频率信息,所以一般要选用其它曲线来弥补。

别的一种常用的标明办法是Bode图,即lgZ、相角对频率作图(如图2下图右图谱所示),图谱中一起标明了阻抗与频率、相移与频率的联系。

一般Nyquist图谱比较遍及,Nyquist图谱是由一个半圆部分和一个线性部分组成,半圆部分在高频区,对应的是电子搬运约束进程,半圆越大,电阻就越大,后边直线部分在低频规模,对应的是分散约束进程。

1、阻抗谱中的根本元件

沟通阻抗谱的解析一般是经过等效电路来进行的,其间根本的元件包含:纯电阻R,纯电容C,阻抗值为1/jωC,纯电感L,其阻抗值为jωL。实践丈量中,将某一频率为ω的微扰正弦波信号施加到电解池,这是可把双电层当作一个电容,把电极自身、溶液及电极反响所引起的阻力均视为电阻,则等效电路如图1所示。

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图1.用大面积惰性电极为辅佐电极时电解池的等效电路

图中A、B别离标明电解池的研讨电极和辅佐电极两头,Ra、Rb别离标明电极资料自身的电阻,Cab标明研讨电极与辅佐电极之间的电容,Cd与Cd’标明研讨电极和辅佐电极的双电层电容,Zf与Zf’标明研讨电极与辅佐电极的沟通阻抗。一般称为电解阻抗或法拉第阻抗,其数值决定于电极动力学参数及丈量信号的频率,Rl标明辅佐电极与作业电极之间的溶液电阻。一般将双电层电容Cd与法拉第阻抗的并联称为界面阻抗Z。

实践丈量中,电极自身的内阻很小,且辅佐电极与作业电极之间的间隔较大,故电容Cab一般远远小于双电层电容Cd。假如辅佐电极上不发生电化学反映,即Zf’特别大,又使辅佐电极的面积远大于研讨电极的面积(例如用大的铂黑电极),则Cd’很大,其容抗Xcd’比串联电路中的其他元件小得多,因而辅佐电极的界面阻抗可疏忽,所以图1可简化成图2,这也是比较常见的等效电路。

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图2.用大面积惰性电极为辅佐电极时电解池的简化电路

2、阻抗谱中的特别元件

以上所讲的等效电路仅仅为根本电路,实践上,因为电极外表的弥散效应的存在,所测得的双电层电容不是一个常数,而是随沟通信号的频率和幅值而发生改动的,一般来讲,弥散效应首要与电极外表电流散布有关,在腐蚀电位邻近,电极外表上阴、阳极电流并存,当介质中存在缓蚀剂时,电极外表就会为缓蚀剂层所掩盖,此刻,铁离子只能在部分区域穿透缓蚀剂层构成阳极电流,这样就导致电流散布极度不均匀,弥散效应系数较低。表现为容抗弧变“瘪”,如图3所示。别的电极外表的粗糙度也能影响弥散效应系数改变,一般电极外表越粗糙,弥散效应系数越低。

2.1、常相位角元件(ConstantPhaseAngleElement,CPE)

在表征弥散效应时,近来提出了一种新的电化学元件CPE,CPE的等效电路解析式为:

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角为φ=–pπ/2,因为它的阻抗的数值是角频率ω的函数,而它的幅角与频率无关,故文献上把这种元件称为常相位角元件。

实践上,当p=1时,假如令T=C,则有Z=1/(jωC),此刻CPE适当于一个纯电容,波特图上为一正半圆,相应电流的相位超越电位正好90度,当p=-1时,假如令T=1/L,则有Z=jωL,此刻CPE适当于一个纯电感,波特图上为一反置的正半圆,相应电流的相位落后电位正好90度;当p=0时,假如令T=1/R,则Z=R,此刻CPE彻底是一个电阻。

一般当电极外表存在弥散效应时,CPE-P值总是在1~0.5之间,阻抗波特图表现为向下旋转必定视点的半圆图。

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图3具有弥散效应的阻抗图

能够证明,弥散角φ=π/2*(1-CPE-P),

特别有意义的是,当CPE-P=0.5时,CPE能够用来替代有限分散层的Warburg元件,Warburg元件是用来描绘电荷经过分散穿过某一阻挡层时的电极行为。在极低频率下,带电荷的离子能够分散到很深的方位,乃至穿透分散层,发生一个有限厚度的Warburg元件,假如分散层满意厚或许满意细密,将导致即便在极限低的频率下,离子也无法穿透,然后构成无限厚度的Warburg元件,而CPE正好能够模仿无限厚度的Warburg元件的高频部分。当CPE-P=0.5时,

,其阻抗图为图3所示,一般在pH》13的碱溶液中,因为生成细密的钝化膜,阻止了离子的分散通道,因而能够观察到图4所示的波特图。

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图4.当CPE-P为0.5时(左)及在Na2CO¬3溶液中的波特图

2.2、有限分散层的Warburg元件-闭环模型

本元件首要用来解析一维分散操控的电化学系统,其阻抗为,一般在解析进程中,设置P=0.5,并且Ws-T=L2/D,(其间L是有用分散层厚度,D是微粒的一维分散系数),核算标明,当ω-》0时,Z=R,当ω-》+∞,在

,与CPE-P=0.5时的阻抗表达式相同,阻抗图如图5。

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图5.闭环的半无限的Warburg阻抗图

2.3、有限分散层的Warburg元件-发散模型

本元件也是用来描绘一维分散操控的电化学系统,其阻抗为,其间ctnh为横竖且函数,F(x)=Ln[(1+x)/(1-x)]。与闭环模型不同的是,其阻抗图的实部在低频时并不与实轴相交。而是向虚部方向发散。即在低频时,更像一个电容。典型的阻抗图如图6。

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图6.发散的半无限的Warburg阻抗图

3、常用的等效电路图及其阻抗图谱

对阻抗的解析使一个十分杂乱的进程,这不单是一个曲线拟合的问题,事实上,你能够挑选多个等效电路来拟合同一个阻抗图,并且曲线契合的适当好,但这就带来了别的一个问题,哪一个电路契合实践情况呢,这其实也是最要害的问题。他需求有适当丰厚的电化学常识。需求对所研讨系统有比较深入的知道。并且在杂乱的情况下,单纯依托沟通阻抗是难以解决问题的,需求辅佐以极化曲线以及其它暂态实验办法。

因为阻抗丈量根本是一个暂态丈量,所以作业电极,辅佐电极以及参比电极的鲁金毛细管的方位极有要求。例如鲁金毛细管间隔参比电极的方位不同,在阻抗图的高频部分就会表现出很大的差异,间隔远时,高频部分仅呈现半个容抗弧,间隔近时,高频弧变成一个关闭的弧;当毛细管紧挨着作业电极外表时,可能会呈现感抗弧,这其间原因还不清楚。

为了有利于我们在往后的实验中对阻抗图有一个大略的知道,下面简略将几种常见阻抗图谱介绍一下。

3.1、吸附型缓蚀剂系统

假如缓蚀剂不参加电极反响,不发生吸附络合物等中心产品,则它的阻抗图仅有一个时刻常数,表现为变形的单容抗弧,这是因为缓蚀剂在外表的吸附会使弥散效应增大,一起也使双电层电容值下降,其阻抗图及其等效电路如图7。

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图7.具有一个时刻常数的单容抗弧阻抗图

3.2、涂层下的金属电极阻抗图

涂装金属电极存在两个容性时刻常数,一个时涂层自身的电容,别的一个是金属外表的双电层电容,阻抗图上具有双容抗弧,如图8所示。

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图8.具有两个时刻常数的涂层金属阻抗图

等效电路中的Ccoat为涂层自身的电容,Rcoat为涂层电阻,Cdl为涂层下的双电层电容,当溶液经过涂层渗透到金属外表时,还会有电化学反响发生,Rcorr为电极反响的阻抗。

3.3、部分腐蚀的电极阻抗图

当金属外表存在部分腐蚀(点腐蚀),点蚀可描绘为电阻与电容的串联电路,其间电阻Rpit为蚀点内溶液电阻,一般Rpit=1~100Ω之间。而是实践系统测得的阻抗应为电极外表钝化面积与活化面积(即点蚀坑)的界面阻抗的并联耦合。但因钝化面积的阻抗远远高于活化以免阻抗,因而实践上阻抗频谱图反映了电极外表活化面积上的阻抗,即两个时刻常数叠合在一起,表现为一个加宽的容抗弧。其阻抗图谱与等效电路如图9所示。

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图9.外表存在部分腐蚀时阻抗图

3.4、半无限分散层厚度的电极阻抗图

所谓半无限分散进程,是指溶液中的分散区域,即在定态下分散粒子的浓度梯度为必定数值的区域,分散层厚度为无穷大,不过一般假如分散层厚度大于数厘米后,即能够为满意这一条件。此刻法拉第阻抗就等于半无限分散操控的浓差极化阻抗Zw与电极反响阻抗Zf的串联,其阻抗

,电极反响彻底受分散进程操控,外加的沟通信号只会引起外表反响粒子浓度的动摇,且电极外表反响粒子的浓度动摇相位角正比如沟通电流落后45度,阻抗图为45度角的歪斜直线,如图10所示。假如法拉第阻抗中有Warburg阻抗,则Rp无穷大,但在腐蚀电位下,因为总的法拉第阻抗是阳极反响阻抗与阴极反响阻抗的并联,一般仅有阴极反响有Zw,故此刻总的Rp应为阳极反响的Rp1值,Zf仍为有限值。

当电极外表存在较厚且细密的钝化膜时,因为膜电阻很大,离子的搬迁进程遭到极大的按捺,所以在低频部分其阻抗谱也表现为一条45度倾角的斜线。

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图10.外表存在细密的钝化膜时的阻抗图

3.5、有限分散层厚度的电极阻抗图

当分散层厚度有限时,即在距电极外表l处,分散粒子的浓度为一不随时刻改变的定值,则有

,在低频是彻底由浓差分散操控,但在高频使它适当于一个RC串联电路,见2.2节。实践丈量中,当电极外表的存在分散层操控时,在较低频率下,离子的搬迁进程能够经过延长时刻来分散到金属外表,发生电化学反响,因而波特图表现为一闭合的圆弧,能够用有限分散层厚度的Warburg阻抗来模仿,如图11所示。

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图11.外表存在非细密的钝化膜时的阻抗图

3.6、一起受电化学和浓差极化操控

在混合操控下,沟通信号经过电极时,除了浓差极化外还将呈现电化学极化,这时电极的法拉第阻抗比较杂乱,在高频部分为双电层的容抗弧,而在低频部分,分散操控将超越电化学操控,呈现Warburg阻抗,其等效电路及阻抗图如图12所示。

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图12.一起受分散和电化学操控的阻抗图

3.7、具有双容抗弧的电化学阻抗

别的假如法拉第电流If不只与极化电位E有关,并且与某一外表状态变量X相关,则因为X对电位的呼应会引起弛豫现象,然后呈现除双电层电容以外的第二个时刻常数,不过这第二个时刻常数即可能是容性的也可能是理性的,这取决于B值,当B》0时,低频呈现感抗弧,当B《0时,则在低频呈现第二个容抗弧。某些吸附型物质在电极外表成膜后,这层吸附层掩盖于严密双电层之上,且其自身就具有必定的容性阻抗Cf,它与电极外表的双电层串联在一起组成具有两个时刻常数的阻抗谱,其阻抗图如图13所示。

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图13.具有两个时刻常数的阻抗图

3.8、低频呈现感抗弧的电化学系统

前面说过,当法拉第电流不只与电极电位有关,并且受电极外表状态变量X影响,而这个状态变量本

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弧。

当电极反响呈现中心产品时,这种中心产品吸附与金属电极外表发生外表吸附络合物,该外表络合物发生于电极反响的第一步,而耗费于第二步反响,而一般情况下,吸附进程的弛豫时刻常数要比电双层电容Cdl与Rt组成的充放电进程的弛豫时刻常数RtCdl大的多,因而在阻抗图的低频部分会呈现感抗弧。如图14所示。

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图14.低频呈现感抗弧的阻抗图

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电容,整个EIS呈现两个容抗弧,如图13所示。

混合电位下的阻抗谱特征

上面所述的阻抗谱均是在天然电位下丈量的,而电极反响在天然电位下一起具有阴阳极两个反响,所以阻抗谱所反映的是两个电极反响的频谱特征,即文献所述的混合电位下的阻抗谱,当没有状态变量时,EIS仍只要一个时刻常数,当有一个状态变量影响电极反响速度时,阻抗谱会呈现两个时刻常数。不过在某些情况下,需求研讨单一阳极反响特征,就必须将研讨电极的电位极化(弱极化区)到不同的阳极电位下进行阻抗丈量,以按捺阴极反响,这便是所谓的直流偏压下的阻抗测验,这一点在研讨钝化膜的临界决裂电位下的阻抗特征尤为重要,它能供给点蚀诱发期的重要特征,别的在研讨缓蚀剂的阳极脱附行为时也十分重要。

沟通阻抗的不足之处

前面指出,关于同一组抗谱,能够找到不止一个电路能满意它的解析,而关于同一个电路,当电路中的元件参数不一起,能够得到彻底不同类型的阻抗谱,因而依托等效电路来估测电极进程的动力学组织是一个不可靠的办法。

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