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MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探求

1 引言MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性,可自动调节电流,因而易于并联应用。但由于器件自身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因,并联应用功率MOSFET管会产生电流分配不均的问题,关

1 导言
MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性,可主动调理电流,因此易于并联使用。但因为器材本身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因,并联使用功率MOSFET管会发生电流分配不均的问题,关于此问题,已有文献进行过剖析,这儿进一步剖析 MOSFET并联使用时导通电阻Ron、栅阈电压UT、跨导Gm等本身参数及部分电路参数对静态和动态电流分配的影响。

2 导通电阻Ron对静态电流分配的影响
这儿静态是指器材开关进程已完毕并进入安稳导通后的作业状况。此刻,因为导通电阻Ron具有正的温度系数KT,可抑制电流分配不均的程度,但不能底子消除电流分配不均现象。实践证明,当n只器材并联时,若其间只要1只器材具有较小的导通电阻Ron,这时静态电流不均现象最为严峻。设较小导通电阻为R1,其他器材的导通电阻为R2,并设其结温为Tj=25℃时的导通电阻别离为 R10和R20,而结温Tj≠25℃时的导通电阻别离为R1T和R2T,则有:


式中,In为MOSFET管的漏极电流,RTj为PN结到管壳的热电阻。
若负载电流为I0,当各器材不存在电流分配不均现象时,各管漏极电流平均值为:


式中为漏极电流的不均匀度为导通电阻的不匹配度;M=I2BR10RTjKT,称为功率MOSFET管导通电阻的自主补偿系数。
当并联支路数n→∞时,式(6)可简化为:

在式(7)、(8)中再别离令M=0和n→∞,则均可得到:
A=B (9)

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