正向电压测验
要了解新的结构单元资料，如石墨烯、碳纳米管[1]、硅纳米线[2]或许量子点，在未来的电子器件中是怎么发挥其成效的，就必须选用那些能在很宽范围上丈量电阻、电阻率、迁移率和电导率的计测手法。这常常需求对极低的电流[3]和电压进行丈量。关于那些力求开发这些下一代资料并使之商业化的工程师而言，在纳米标准上进行准确的、可重复的丈量的才能显得极为重要。
光学测验
光学丈量中也需求运用正向电流偏置[4]，由于电流与HBLED的发光量密切相关。能够用光电二极管或许积分球来捕捉发射的光子，然后能够丈量光功率。能够将发光变换为一个电流，并用电流计或许一个信号源－丈量单元的单个通道来丈量该电流。
反向击穿电压测验
对HBLED施加的反向偏置电流能够完成反向击穿电压[5]（VR）的测验。该测验电流的设置应当使所测得的电压值不再跟着电流的细微添加而明显上升。在更高的电压下，反向偏置电流的大幅添加所形成的反向电压的改变并不明显。VR的测验办法是，在一段特定时间内输出低反向偏置电流，然后丈量HBLED两头的电压降。其成果一般为数十伏特。
