与之前介绍的晶体管扩大电路相同，各级FET扩大电路之间的衔接也有必要经过电容衔接，以构成CR的衔接方法。此刻，为确保栅极、源极和漏极间正确的电压联系，就需求偏置电路来供给栅极电压。
与晶体管扩大电路的接地方法相同，结型FET扩大电路也有多种接地方法。
最一般的源极接地电路和自偏置电路
n沟道FET的比如如下图所示，p沟道FET电源电压VPS(V)和电流ID(A)的方向，与此图彻底相反。
FET源极接地电路的功用，与晶体管的共射扩大电路相同。因为结型FET的正常作业，要求栅极和源极间的电压VGS为反向偏置电压，因而其偏置电路的结构有些不同。
与晶体管的电流反应偏置电路相同构成的FET“自偏置电路”，因为其安稳程度杰出，在实践电路中得到了遍及使用。
自偏置电路源极电阻对电路的安稳效果
与栅极和源极间电压VGS相对应的漏极电流ID(A)，流过源极电阻RS(Ω)。VGS为负极性的偏置电压。
此刻，假如咱们把VGS的绝对值变得很小，漏极电流ID就会增大。这样一来，源极电压VS(V)就会升高，然后使得VCS的绝对值增大，一起ID也会减小，电路的状况向安稳的方向改变。
源极接地电路要完成扩大功用，需求给源极电阻并联电容
完成沟通信号扩大时，需求疏忽源极电阻RS的影响。与源极电阻RS并联的电容CS(F)，使得沟通信号改变对源极电压VS没有影响，源极电压VS坚持不变。关于沟通信号来说，源极是经过%&&&&&%CS接地的，因而也称为源极接地电路。该电路对沟通信号的电压扩大倍数A为
A=gm*RD
式中，RD(Ω)为漏极电阻。因为结型FET的gm很小(在1~10mS之间)，很难完成电压扩大倍数很大的单级扩大电路。
漏极接地电路的偏置电路和扩大倍数
漏极接地电路(源极跟从器)与晶体管的共集扩大电路(射极跟从器)相同。漏极接地电路中，漏极与电源VPS相衔接(关于n沟道FET)，经过电源接地，所以能够被看作为“漏极接地”电路。
信号的扩大倍数A为A≈1，实践的扩大倍数要比1略小一些。
栅极接地电路的偏置电路和扩大倍数
栅极接地电路和晶体管基极接地电路相同。偏置电路和其他的结型FET的接地电路相同。
结型FET的栅极和源极间为反向偏置电压，源极经过电阻RS接地，栅极直接与地电位相连。
栅极接地电路，输入、输出信号的极性相反。信号的电压扩大倍数A为
A=gm*RD
