理想的UPS对电网应当是呈现纯阻性，也就是说，UPS的功率性因数最好是1，这样它对于电网就没有任何的污染。但现实情况是，大多数的UPS普遍采用了50Hz的低频可控硅整流器，对市电产生了大量的一个谐波反
1.引言在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、
主要有以下三点：1、过压击穿：过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在可控硅两端一定要接入RC吸收回路
1、ups不间断电源的组成UPS电源系统由4部分组成：整流、储能、变换和开关控制。其系统的稳压功能通常是由整流器完成的，整流器件采用可控硅或高频开关整流器，本身具有可根据外电的变化控制输出幅度的功能，
一、可控硅基本原理可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变成
晶闸管是晶体闸流管（Thyristor）的简称，谷称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高
电路模型:仿真波形如下:对仿真结果总结得到的是：电容在被反向充电达到顶峰后即向充电方向的反向放电，这时可控硅关断。图中电容开始反向放电时假设参数如图：ik为关闭前的维持电流，im为为电感回路的最大峰值
