提出一种基于TSMC40LP工艺的输入信号缓冲器，用于12 bit 4 GSPS ADC的缓冲器设计。本缓冲器采用开环源随器结构，由于工艺角和温度变化，开环结构的缓冲器的输出共模将会漂移，导致比较器的
随着20nm SoC已进入开发阶段，14nm、10nm甚至7nm工艺均在逐步推进中。众所周知，在EDA行业，20nm工艺要解决的是支持双重图形(Double Patterning)的问题。明导
上次讲到了阻抗计算和工艺制程之间的一些"权衡的艺术"，主要是为了达到我们阻抗管控目的的同时，也能保证工艺加工的方便，以及尽量降低加工成本。接下来，就具体说说，利用SI9000计
555定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极型(TTL)工艺制作的称为555，用互补金属氧化物(CMOS)工艺制作的称为7555，除单定时器外，还有对应的双定时器556/7556
所有大型晶圆代工厂都已宣布 FinFET 技术为其最先进的工艺。Intel 在 22 nm 节点上采用该晶体管，TSMC 在其 16 nm 工艺上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundr
随着FPGA的容量、性能以及可靠性的提高及其在消费电子、汽车电子等领域的大规模应用，FPGA设计的安全性问题越来越引起人们的关注。相比其他工艺FPGA而言，处于主流地位的SRAM工艺FPGA有一些优势
在LED封装中，铜线工艺因其降低成本而被LED灯厂家研究开发，并得到众多厂家的采纳，但是实际应用中相对金线焊接而言，铜线工艺存在着不少问题。下面列出一些常见的问题，希望能对大家有所启发。1)铜线氧化，
