
在芯片的生产过程中,会经历许多次的掺杂、增层、光刻和热处理等工艺制程,每一步都必须达到极其苛刻的物理特性要求。但是,即使是最成熟的工艺制程也存在不同位置之间、不同晶圆之间、不同工艺运行之间以及不同时段

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