电阻抗成像技术(Electrical Impedance Tomography， EIT)是当今生物医学工程重大研究课题之一，是继形态、结构成像之后，于八十年代出现的新一代有效的无损伤功能成像技术。本
7标准化WG中无源元件嵌入的课题图15表示了无源元件嵌入构造的三种代表性形态。这种形态已经有10年左右的实用化，其优点是可以使用特性保证的元件，可以使用现有设备进行制造。另一方面，对PCB的市场要求是
电阻抗成像技术(ElectricalImpedanceTomography，EIT)是当今生物医学工程重大研究课题之一，是继形态、结构成像之后，于八十年代出现的新一代有效的无损伤功能成像技术。本章主要
元素的形态是指某一元素以不同的同位素组成、不同的电子组态或价态以及不同的分子结构等存在的特定形式。元素形态分为物理形态和化学形态，物理形态是指元素在样品中的物理状态，如溶解态、胶体和颗粒状等；化学形态
本文主要分析了超结结构的功率MOSFET的输出电容以及非线性特性的表现形态，探讨了内部P柱形成耗尽层及横向电场过程中，耗尽层形态和输出电容变化的关系，最后讨论了新一代超结技术工艺采用更小晶胞单元尺寸，
