本站为您提供的Vishay的650V快速体二极管MOSFET可提高工业、通信和可再生能源应用中软开关的电压余量， 宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件—SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。
本站为您提供的解析MOS管的三个引脚G、S、D都是什么及含义，G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。
本站为您提供的典型电子元器件的特性、用途和质量控制要点，传输门和逻辑门组合在一起，可以构成各种复杂的CMOS电路，如计数器、微处理器及存储器等。在CMOS电路中，由于采用N沟道管与P沟道管互补式电路，所以CMOS的功耗比NMOS还小，而速度经
本站为您提供的Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET，日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET—Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4.5V电压下的导通电阻分别低至0.0016Ω和0.0020Ω，可提高移动电子设备的效率。
本站为您提供的三极管、场效应管、IGBT怎么用？，场效应管是电压控制器件，它是继三极管之后的新一代放大元件，场效应晶体管可分为耗尽型效应晶体管和增强型效应晶体管，同时又有N沟道和P沟耗尽型之分。
