全球闻名半导体制造商ROHM开宣布十分适用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基势垒二极管（以下称“SiC-SBD”） “SCS3系列”。
本产品选用新结构，不只承继了量产中的第2代SiC-SBD所完成的业界最低正向电压※2（VF=1.35V、25℃）的特性，一起还保证了高抗浪涌电流特性。因而，还可用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路，十分有助于进步使用的功率。
本产品已于2016年3月开端出售样品，方案于2016年4月开端逐渐投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co.， Ltd. （日本福冈县），后期工序的生产基地为ROHM Korea CorporaTIon（韩国）。
往后，ROHM将经过扩展SiC元器材产品的阵型，持续为电力电子设备的节能化作出贡献。
＜布景＞
近年来，在太阳能发电体系、工业用各种电源设备、电动汽车及家电等电力电子范畴，为进步功率转化功率以完成进一步节能，更高功率的功率元器材产品备受等待。SiC器材与以往的Si器材比较，具有优异的资料特性，在这些范畴中的使用日益广泛。尤其是在服务器等这类要求更高电源功率的设备电源中，SiC-SBD产品因其快速康复特性可有用进步功率而被用于PFC电路来进步设备功率。在这些用途中，抗浪涌电流※3特性成为重要的参数。一直以来，ROHM的第1代、第2代SiC-SBD产品均深获客户好评。为了进一步扩展使用规模，ROHM 选用新产品结构，成功开宣布坚持业界最高水平的低VF特性、并完成高抗浪涌电流特性的产品。
