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电容器标准具体介绍

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TAG标签: 介绍 电容   电容器种类   依照主要材质特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电

电容器标准具体介绍


TAG标签: 介绍 电容
  电容器品种
   按照首要原料特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别.
1. 电解质电容器品种: 按照细部原料, 形状, 及功用特性可再区分为标准型 (>11mm高度), 迷你型 (7mm高度), 超迷你型 (5mm高度), 耐高温型 (105℃), 低漏电型, 迷你低漏电型 (7mm高度), 双极性型, 无极性型, 及低内阻型 (Low ESR)等.
2. 电解质芯片电容器品种: 按照细部原料, 形状, 及功用特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片 (105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等.
3. 塑料薄膜电容器品种: 按照细部原料, 形状, 及功用特性可再区分为聚乙烯薄膜, 金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜, 及交流用金属化聚丙烯薄膜等.
4. 陶瓷电容器品种: 按照细部原料, 形状, 及功用特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型, Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C. Type)半导体型 等.
5. 陶瓷芯片电容品种: 按照尺度及额外功率特性可再区分为0402, 0603, 0805, 1206等较具普遍性.
 
  电容器首要电气标准
1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量规模为0.47uF-10000uF, 测验频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量规模为0.001uF-0.47uF, 测验频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量规模为1 pF-680pF, 测验频率为1MHz. Hi-K type的电容量规模为100pF-0.047uF, 测验频率为1KHz. S/C type的电容量规模为0.01uF-0.33uF.
2. 电容值差错Tolerance: 一般电解电容器的电容值差错规模为M 即 +/-20%, 塑料薄膜电容器为J即 +/-5%或K即 +/-10%, 或M即 +/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type为C即 +/-0.25pF (10pF以下时), 或D即 +/-0.5pF (10pF以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即 +80/-20%三种.
3. 丢失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其标准视电容值凹凸决议, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其原料决议为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其原料决议, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其标准以Q值表明需高于400-1000. (Q值相当于D值的倒数)
4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度改动改动之份额值, 一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为 +/-60ppm, UJ即为 -750+/-120ppm, SL即为 +350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为 +/-10%, E (5U)即为 +20/-55%, F (5V)即为 +30/-80%.
5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定标准, 一般以电容器自身额外电压加压3 Min后, 串接电流表测验, 其漏电流量需在0.01CV ( uF电容量值与额外电压相乘积) 或3uA以下 (取其较大数值). 特定低漏电流量运用 (Low leakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.
6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器自身额外电压之1.3倍电压加压, 需作业正常无异状.
7. 运用温度规模: 一般电解电容器的运用温度规模为 -25℃至+85℃, 特定高温用或低漏电流量用者为 -40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为 -40℃至+85℃. 陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为 -25℃至+85℃.


  怎么选用标准适当之电容器
1. 一切被迫组件中, 电容器归于品种及标准特性最杂乱的组件. 特别为了合作不同电路及作业环境的需求差异, 即使是相同的电容量值与额外电压值, 亦有其它不同品种及原料特性的挑选.
2. 以电解电容器为例, 因为其电容量值较大, 虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器相互区隔.实际运用上仍有下述各种特性差异:
A. 运用温度规模: 需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃
B. 运用高度限制: 传统A/I标准型最低高度为11mm, 迷你型为7mm, 超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).
C. 电容量差错值: 较高额外电压或电容量大于100uF时, 有一般型为 +100/-10%或 M型 +/-20%.
D. 低漏电流量特性: 用于某些特定电路, 与充放电时间常数准确性有关时.  (相当于Tantalum钽质电容特性)
E. Low ESR低内阻特性: 用于某些滤波电路, 需合作高频脉波大电流之滤波作用.例如交流电源之滤波电路.
F. Bipolar 双极性特性: 用于高频脉波电路, 需合作高频脉波大电流之通路作用.例如推进倾向线圈之水平输出电路.
G. Non-polar无极性特性: 用于低频高波幅之音频信号通路, 用以防止因电容器两头之正逆向偏压, 形成输出波形失真.
H. 以上为一般A/I电解电容器, 而芯片电解电容器亦相同有标准型, 耐高温型, 低漏电流量型 (即钽质芯片电容), 无极性特性等分类.
3. 以陶瓷电容器为例, 其资料特性区分为3类.  Class 1 T/C温度补偿型供高频谐振电路用,  Class 2 Hi-K与Class 3 S/C为滤涉及信号通路用, 因为其电容量值部分相似, 且与塑料薄膜电容器亦数值挨近, 需特别注意特性选用.
A. Class 1容量规模为1 pF-680 pF, 可视高频电路需求, 挑选CH零温度补偿型 (例如RC谐振电路, 不需补偿温度系数),  UJ负温度补偿型 (例如LC谐振电路,需补偿线圈正温度系数),  SL无操控温度补偿型 (例如高频补偿, 非谐振电路, 不需考虑温度影响).
B. Class 2 Hi-K容量规模为100 pF-0.047 uF与Class 3 S/C容量规模为0.01 uF-0.33 uF, 两者特性挨近. 一般后者外型较小, 本钱低, 但耐压标准较低.
C. 需注意100 pF-680 pF规模内,  Class 1与 Class 2电容器之Q值相差极大, 电路上不行误用.
4. 以塑料薄膜电容器为例, 各类不同原料特性, 可合作不同之电路运用. 其一起特性为容量不受温度影响, 合适中低频电路运用.
A. 聚丙烯 (代号PPN或PPS) 原料之丢失角最低, 可适用于高电压脉波电路作业. PPS原料为   1KV以上运用, PPN原料为 1KV 以下运用.
B. 金属化聚丙烯 (代号MPPN) 原料耐电压较高, 适用于DC高电压或AC电源电路作业.运用于AC电源电路者, 有必要契合AC电源安规验证, 一般称为X2电容.
C. 聚乙脂 (代号PS) 丢失角低且容量较低, 高频特性杰出, 可适用于中低频谐振电路作业.
D. 金属化聚乙烯 (代号MPE) 容量规模广及无电感特性, 可适用于一般脉波电路作业. 代号MEF者, 亦为MPE类原料, 但具有Flame-retardant防火特性.
E. 聚乙烯 (代号PE分为有电感特性PEI及无电感特性PEN两种) 其丢失角较大, 但因本钱较低, 可适用于一般直流或低频电路作业.
F. 一切金属化之塑料薄膜电容器, 均具有self-healing自行回复特性, 原料被高压击穿后, 只需移去高压, 即可自行回复原有功用.


安规电容器X Cap及 Y Cap 附加阐明
1. X cap are line to line, 0.1-1 uF. X1 for 3 phase line impulsed voltage tested at 4KV, X2 for AC wall-let impulsed voltage tested at 2.5 KV.
2. Y cap are line to neutral ground. 4700 pF. small to limit AC leakage current. Y1 for double insulaTIon impulsed tested at 8KV, Y2 for basic insulaTIon impulsed tested at 5KV.
3. Capacitor Discharge: The capacitor discharge test ensures that if an ac plug is abruptly removed from its receptacle, the voltage across the line and neutral terminals will not exceed a safe level. Per UL 1950, voltage across a capacitance greater than 0.1 μF must decay to 37% of the ac-input peak voltage in 1 second for type A equipment and 10 seconds for type B equipment. IEC 61010-1 requires that the pins not be hazardous (live) at 5 seconds after disconnecTIon from the supply.


  各类电容器参阅标准
电解质电容 ElectrolyTIc Capacitor  
品种 (Mini) >=11mm                 (Super-Mini) 7mm (Ultra-Mini) 5mm          
额外电压 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-50V                          
容值规模 (120Hz) 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-470uf 0.1-220uf                             
容值差错 (120Hz) M M M M                                           
温度规模 -40℃--+85℃ -25℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+105℃                   
漏电流 (3 Min.) <=0.01 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或 3 uA  
丢失角 (120Hz) <=0.08--0.22 <=0.16--0.20 <=0.1--0.24 <=0.1--0.24                      
    
品种 (High Temp.) >=11mm   (Low leakage) >=11mm  (Mini / Low leakage) 7mm  
额外电压 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-63V                 
容值规模 (120Hz) 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-1000uf 0.47-100uf               
容值差错 (120Hz) M M M M                                 
温度规模 -40℃--+105℃ -25℃--+105℃ -40℃--+105℃ -40℃--+105℃             
漏电流 (3 Min.) <=0.01 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA <=0.002CV或0.4uA <=0.002CV或0.4uA  
丢失角 (120Hz) <=0.08--0.22 <=0.15--0.24 <=0.1--0.24 <=0.1--0.24                      
    
品种 (Bipolar) >=26mm (Nonpolar)>=11mm                (Low ESR)                                    
额外电压 25/50V 10-160V 6.3-63V 6.3-100V 160-450V
容值规模 (120Hz) 2.2-10uf 0.47-1000uf 0.47-100uf 4.7-3300uf 3.3-330uf
容值差错 (120Hz) M M M    
温度规模 -40℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+85℃ -55℃--+105℃ -40℃--+105℃
漏电流 (3 Min.) <=100uA <=0.03 CV 或 4 uA <=0.03 CV 或 3 uA    
丢失角 (120Hz) <=0.05 <=0.15-0.25 <=0.12--0.24    
Ripple Current  6-8 Amp        


电解质芯片电容 Electrolytic Chip Capacitor   
品种 Electrolytic (General) Electrolytic (Hi-Temp.) Electrolytic (Non-polar) Tantalun Chip
电容值规模 0.1-1000uf 0.1-1000uf 0.1-47uf 0.1---220 uf
额外电压规模 6.3-100V 6.3-100V 6.3-50V 6.3---50 V
容值差错规模 M M M K / M
温度规模 -40℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+85℃ -55℃--+125℃
漏电流 <=0.01 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或 3 uA 0.01 CV 或 5 uA
丢失角 <=0.1-0.35 <=0.1-0.3 <=0.15-0.3 <=0.04-0.08



塑料薄膜电容器  Plastic Film Capacitor 金属化聚乙烯
品种 Polyester 聚乙烯  Metallized Polyester               Polystrene 聚乙脂
电容值规模 0.001-0.47uf 0.01-10uf 100-10000pf
额外电压规模 50/100/200/400V 50/100/250/400/630V 50/100/125/250/500V
容值差错规模 J, K, M. J, K, M. G, J, K.
温度规模 -40℃--+85℃ -40℃--+85℃ -40℃--+85℃
丢失角(1KHz) <=0.006 <=0.01 <=0.001
Withstand Voltage 200% 1 Min. 175% 3 Sec.  
Inductive / 代号 No/Yes, PEN(Red)/PEI(Green) No / MPE (Red)    No / PS
  金属化聚丙烯
品种 Polypropylene 聚丙烯  Metallized Polypropylene   Metallized Polypropylene 金属化聚丙烯
电容值规模 0.001-0.68uf 0.01-3.3uf 0.001-0.47uf
额外电压规模 50/100/250/400/630/1000V 100/250/400/630V 250/275VAC
容值差错规模 J, K, M. G, J, K. K(>0.01uf),  M(<0.01uf)
温度规模 -40℃--+85℃ -40℃--+85℃ -40℃--+85℃
丢失角(1KHz) <=0.0008 <=0.001 <=0.001
Withstand Voltage 250 % Rated Voltage DC 2000V / 1Sec.  DC 2000V / 1Sec.
Inductive / 代号 No,  PPN / PPS (Hi-Voltage) No / MP No / MPX (X2 Cap.)Across the line cap.


陶瓷芯片电容 (MLCC)Multi-layer Ceramic Chip    
类型 0402 0603 0805 1206
尺度 inch 0.04L*0.02W 0.06L*0.03W 0.08L*0.05W 0.12L*0.06W
额外电压 16/25/50V 10/16/25/50V 10/16/25/50V 25/50/100/200/500V
   
温度系数 COG (NPO) X7R Y5V
容值规模 <=220pf    
温度规模 -55℃--+125℃ -55℃--+125℃ -30℃--+85℃
容值差错 F 或 G 或 J 或 K J 或 K 或 M +80/-20% 或 M 
D值 (1KHz)  <=0.0015 <=0.025 <=0.05


陶瓷电容 Ceramic Disc Chip 
Class-1 (T.C. Type) CH (NPO+/_ 60) UJ (-750+/_120) SL (+350/_1000)
容值规模 <=680pf <=680pf <=680pf
温度规模 -55℃--+85℃ -55℃--+85℃ -40℃--+85℃
容值差错 C/D/J/K C/D/J/K C/D/J/K
Q值 (1MHz)  <=30pf Q>=400+20C <=30pf Q>=400+20C <=30pf Q>=400+20C
  >30pf Q>1000 >30pf Q>1000 >30pf Q>1000
Class-2 (Hi-K Type) B(Y5P) +/_10% E(Z5U) +20/-55% F(Z5V) +30/-80%
容值规模 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf
温度规模 -25℃--+85℃ +10℃--+85℃ +10℃--+85℃
容值差错 K M +80/-20%
额外电压 50/63/100/500/630/1KV    
D值 (1KHz)  <=0.025 <=0.025 <=0.05
Class-3 (S.C. Type) B(Y5P) +/_10% E(Y5U) +20/-55% F(Y5V) +30/-80%
容值规模 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf
温度规模 -25℃--+85℃ -25℃--+85℃ -25℃--+85℃
容值差错 K M +80/-20%
额外电压 16/25/50/63V    
D值 (1KHz)  <=0.025 <=0.025 <=0.05


 

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